付伍君
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- ZnO缓冲层和退火处理对MgO薄膜结构的影响
- 2012年
- 采用直流反应磁控溅射法在Si衬底上引入ZnO缓冲层制备了沿(200)晶面择优取向生长的MgO薄膜,然后分别采用快速退火和常规退火两种不同的方式对MgO薄膜进行晶化处理。利用X射线衍射仪(XRD)以及原子力显微镜(AFM)研究了ZnO缓冲层以及两种不同的退火方式对MgO薄膜的结构和形貌的影响。结果表明:具有合适厚度的ZnO缓冲层可以显著地提高MgO薄膜的结晶质量。另外,与快速退火相比,常规退火处理后得到的MgO晶粒均匀圆润,有着较大的(200)衍射峰强度以及较小的表面粗糙度。
- 付伍君孟祥钦朱博张遥杨成韬
- 关键词：退火处理
- MgO/ZnO薄膜的制备及其性能研究
- MgO薄膜具有很好的热稳定性、化学稳定性和电绝缘性能，且与常见的功能性薄膜材料如 PZT、YBCO等具有非常接近的晶格常数，因此常作为 Si衬底和功能薄膜材料之间的过渡层，起到缓解晶格失配和阻止相互扩散的作用。MgO薄膜...
- 付伍君
- 衬底温度对ScAlN薄膜结构及电阻率的影响被引量：1
- 2013年
- 采用直流反应磁控溅射法、利用ScAl合金靶(含Sc质量分数10%)制备了一系列不同衬底温度的Sc掺杂AlN(ScAlN)薄膜。利用X线衍射仪、原子力显微镜和铁电测试仪的电流-电压(I-V)模块研究了衬底温度对薄膜微观结构、表面形貌及电阻率的影响。结果表明,随着衬底温度升高,薄膜的(002)择优取向愈发明显,在650℃时达到最佳;薄膜的表面粗糙度随着衬底温度的升高而减小,在650℃、700℃时分别达到3.064nm和2.804nm,但当温度达到700℃时,薄膜表面局部开裂,因此,650℃为获得最佳结晶质量薄膜的适当温度。ScAlN薄膜电阻率随制备时衬底温度呈先增大后减小的趋势。
- 杨健苍孟祥钦付伍君杨成韬
- 关键词：磁控溅射表面形貌电阻率
- 溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响
- 2013年
- 采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜。利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征。结果表明,不同溅射功率下生长的AlN薄膜都沿(002)择优生长,且随着功率的增大,薄膜的沉积速率增加,晶粒长大,AlN薄膜的(002)取向性变好。同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征,结果显示AlN薄膜呈柱状生长。
- 付伍君孟祥钦朱博张遥刘浩瀚杨成韬
- 关键词：ALNZNO薄膜溅射功率表面形貌
