傅鹤鉴
- 作品数：16 被引量：34H指数：5
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- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 枝状聚硅烷的合成
- 用“顺点滴式”方法改进了单体合居,较原“全混式”提高了产率,降低了消耗;用Wurtz法以二氯硅烷和三氯硅烷为原料,经“预聚”和“混聚”二种方式合成了枝状聚硅烷.
- 傅鹤鉴马洪彭志坚苏志珊曾红梅谢茂浓
- 关键词：预聚
- 文献传递
- 聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性被引量：5
- 1999年
- 红外吸收谱分析表明，聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ，ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．
- 谢茂浓傅鹤鉴
- 关键词：聚硅烷氧等离子体处理
- 聚硅烷在XeCl准分子激光作用下光降解及亚微米光刻的研究被引量：5
- 1997年
- 采用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应，利用玻璃片为基底，旋转涂布，分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层，以聚硅烷为成像层和阻挡层，构成双层工艺，进行接近式曝光，用混合溶剂显影，并通过Ｏ２－ＲＩＥ处理，最终得到了亚微米的光刻图形．
- 傅鹤鉴李高全谭键马洪马洪谢茂浓
- 关键词：聚硅烷光降解光刻准分子激光
- 枝状聚硅烷的合成与表征被引量：6
- 2001年
- 用“顺点滴式”方法改进了单体合成 ,较原“全混式”提高了产率 ,降低了消耗 ;用Wurtz法以二氯硅烷和三氯硅烷为原料 ,经“预聚”和“混聚”
- 马洪苏志珊曾红梅彭志坚傅鹤鉴陈德本谢茂浓
- 关键词：二氯硅烷
- 高温热解聚硅烷制备SiC薄膜初探被引量：2
- 2000年
- 用组合成的可溶性聚硅烷 1 71 0 A作涂膜材料 ,进行不同温度的真空热解或高纯氮下热解实验 .通过IR谱和 XPS谱分析 ,在 790～ 81 0 cm-1和 1 2 70 cm-1红外吸收特征峰分别对应 Si— CH3 摇摆振动和伸缩振动吸收峰 ,XP—Si谱给出 Si( 2 P)结合能为 1 0 1 .6e V,CIS为 2 84 .3 e V,证明有 α-Si C∶ H生成 .
- 易春谢茂浓彭志坚向少华傅鹤鉴
- 关键词：聚硅烷高温热解IR谱半导体材料碳化硅薄膜
- 氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
- 2001年
- 氧等离子体处理高阻Ｐ型（１００）硅片上的聚硅烷涂层制备ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构。其ＭＯＳ结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化，平带电压最小可达－０．５５～－０．８８Ｖ，比同一环境热氧化制备的ＳｉＯ_２／Ｓｉ结构平带电压小得多。
- 向少华谢茂浓张明高廖伟彭志坚傅鹤鉴
- 关键词：平带电压
- 金属-聚硅烷-硅结构的电容-电压特性
- 2003年
- 设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望设计成测定聚硅烷枝化度装置.
- 彭志坚司文捷谢茂浓傅鹤鉴苗赫濯
- 关键词：聚硅烷平带电压
- 含氯聚硅烷的合成与表征
- 2003年
- 将光敏基团Cl直接键连在聚硅烷大分子上,用3种方法合成了含氯聚硅烷:①用硅氢化反应将氯丙烯加成到聚硅烷上;②用含苯基聚硅烷中的苯环进行氯甲基化反应;③在Wurtz缩合反应完成后直接从反应体系中将端基含氯的聚硅烷分离出来.对产物分别进行了1HNMR、FT IR、GPC和XPS表征.
- 曾红梅苏志珊马洪傅鹤鉴陈德本
- 关键词：硅氢化反应氯甲基化反应
- 高分子量的枝状聚硅烷的合成与表征被引量：7
- 2002年
- 根据硅氢加成反应机理设计了“顺点滴式”工艺 ,高效、低耗地合成了甲基苯乙基二氯硅烷和甲基正己基二氯硅烷 .根据Wurtz还原偶联反应原理 ,采用“预聚”和“混聚”两种工艺分别合成枝状共聚硅烷 ,发现运用“预聚”工艺可以合成分子量很高的枝状聚硅烷 .
- 彭志坚司文捷傅鹤鉴曾红梅苗赫濯
- 关键词：预聚硅氢加成反应分子量
- 用激光等离子体化学反应制备非晶态ＴｉＯ<,2>及其性质初探
- 傅鹤鉴宋德镇
- 关键词：等离子体氧化钛非晶体材料激光技术化学反应
