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冯志红

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁波
  • 2篇电控
  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇元组
  • 2篇太赫兹
  • 2篇太赫兹波
  • 2篇外延层
  • 2篇蓝移
  • 2篇幅度调制
  • 2篇常压

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇杨梓强
  • 4篇张雅鑫
  • 4篇梁士雄
  • 4篇乔绅
  • 4篇冯志红
  • 2篇孙琳琳

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器
基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器，属于电磁功能器件技术领域，本发明包括半导体衬底1、外延层2、调制单元组4，外延层2设置于半导体衬底1上，在外延层2上设置有调制单元、正电压加载电极3和负电压加载电极5；所述调...
张雅鑫乔绅梁士雄杨梓强冯志红
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基于电控晶体管的太赫兹蓝移调制器及制备方法
基于电控晶体管的太赫兹蓝移调制器及制备方法，属于电磁功能器件技术领域，本发明包括半导体衬底、外延层、正电压加载电极、调制单元阵列、负电压加载电极；外延层设置于半导体衬底上，调制单元阵列、正电压加载电极和负电压加载电极设置...
张雅鑫乔绅孙琳琳梁士雄杨梓强冯志红
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基于电控晶体管的太赫兹蓝移调制器及制备方法
基于电控晶体管的太赫兹蓝移调制器及制备方法，属于电磁功能器件技术领域，本发明包括半导体衬底、外延层、正电压加载电极、调制单元阵列、负电压加载电极；外延层设置于半导体衬底上，调制单元阵列、正电压加载电极和负电压加载电极设置...
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基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器
基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器，属于电磁功能器件技术领域，本发明包括半导体衬底1、外延层2、调制单元组4，外延层2设置于半导体衬底1上，在外延层2上设置有调制单元、正电压加载电极3和负电压加载电极5；所述调...
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