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刘志军

作品数:3 被引量:14H指数:3
供职机构:国防科学技术大学机电工程与自动化学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
相关领域:金属学及工艺机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇抛光
  • 3篇磁流变
  • 3篇磁流变抛光
  • 1篇碳化硅
  • 1篇面形
  • 1篇磨料
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米金刚石
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石磨料
  • 1篇控制方法
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇光学
  • 1篇光学元件
  • 1篇刚石
  • 1篇材料去除机理
  • 1篇亚表面

机构

  • 3篇国防科学技术...

作者

  • 3篇刘志军
  • 2篇彭小强
  • 1篇石峰
  • 1篇康念辉
  • 1篇戴一帆
  • 1篇王卓
  • 1篇李圣怡

传媒

  • 1篇国防科技大学...
  • 1篇航空精密制造...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
碳化硅镜面材料的磁流变抛光工艺研究
现代光学制造业的迅猛发展已经成为军事、航天、电子等领域的迫切需求,越来越多的光学元件广泛应用于与这些领域相关的复杂系统中,提高光学元件的超精密加工能力,寻求适合光学材料的加工方法是为关键。磁流变抛光技术作为国内外新兴的超...
刘志军
关键词:碳化硅磁流变抛光工艺参数
纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理与工艺研究被引量:8
2009年
理论分析与实验验证表明,纳米金刚石磨料磁流变抛光材料去除机理是塑性剪切去除。在KDMRF-1000F磁流变抛光机床上进行工艺实验,研究抛光轮与工件表面的间隙、抛光轮转速、磁场强度对峰值去除效率和表面粗糙度的影响。工艺实验表明,去除函数具有良好的稳定性和重复性,2.5h以内峰值去除效率稳定在±0.3%以内,体积去除效率稳定在±0.5%以内。直径202mm(有效口径95%)的HIP SiC平面镜采用子孔径拼接测量方法,经过磁流变粗抛(30h)和精抛(9h)后,面形误差PV值0.13μm,RMS值0.012μm,表面粗糙度RMS值2.439nm。
石峰戴一帆彭小强康念辉刘志军
关键词:磁流变抛光纳米金刚石
光学元件抛光亚表面损伤实验研究被引量:3
2008年
设计光学元件抛光亚表面损伤检测实验,使用原子力显微镜(AFM)检测传统抛光亚表面塑性划痕与磁流变抛光亚表面塑性划痕的最大深度,通过比较验证磁流变抛光对亚表面塑性划痕的抑制能力;同时利用二次离子质谱仪的深度剖析功能检测磁流变抛光石英样件后表面水解层的深度,指出磁流变抛光属于低损伤性抛光技术。
刘志军李圣怡王卓彭小强
关键词:磁流变抛光
共1页<1>
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