卫星
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金基础研究重大项目前期研究专项上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究
- 1994年
- 本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ）；三元结构，并以（００４）晶面为择优取向。薄膜均匀平整，电阻率达到ＴＩＳｉ２最低值范围，高温处理未发生组分分凝．从生成物的晶体结构和形成热差异上对实验结果进行了分析．
- 亓文杰李炳宗黄维宁顾志光张翔九盛篪胡际璜吕宏强卫星沈孝良
- 关键词：分子束外延退火固相反应
- 快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
- 1994年
- 对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．
- 袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌
- 关键词：分子束外延快速退火电学性质
- Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的俄歇深度剖面分析
- 1991年
- 用氩离子刻蚀和俄歇电子能谱测量Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的成分深度分布,得到Ge,Si两种成分随深度的周期性变化,在二次电子象中观察到刻蚀坑边缘的明暗交替的周期性结构。讨论了用俄歇深度剖面分布作超晶格结构分析的特点及其局限性。
- 卫星蒋维栋周国良俞鸣人王迅
- 关键词：应变层超晶格
- 用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰被引量：2
- 1993年
- 采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。
- 卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧
- 关键词：分子束外延钝化
- 9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器被引量：1
- 1994年
- 用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
- 龚大卫卢学坤卫星杨小平胡际璜盛篪张翔九王迅周涛叶红娟沈学础
- 关键词：异质结锗硅合金红外探测器
- 分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)的原位俄歇定量分析
- 1992年
- 通过分子束外延生长不同组分的Ge_xSi_(1-x)标样,测量其俄歇谱(dN/dE～E),得到了在指定的实验条件下Ge(LMM)和Si(KLL)幅度之比与Ge组分x的关系,与只用纯Ge和纯Si原子灵敏度因子之比计算结果差别很小.证明俄歇电子谱是组分x原位测量的有效手段,相对误差在10%以内.讨论了Ge的偏析现象,在x>0的情况下Ge偏析不致于影响上述测量方法的准确性.
- 卫星周铁城杨小平俞鸣人张翔九盛篪王迅
- 关键词：分子束外延硅化锗
