吴虎才
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理电子电信更多>>
- SOI薄膜太阳电池的研制
- 为了研究绝缘衬底上薄膜太阳电池的制备工艺,我们采用自己制作的SIMOX-SOI材料为衬底,用RTCVD外延晶硅薄膜,在国内首次成功制备了SOI薄膜太阳电池,其最好效率为10.62﹪.在绝缘衬底上制备薄膜太阳电池的最大特点...
- 吴虎才
- 关键词：薄膜太阳电池
- 文献传递
- 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
- 2003年
- 研究了采用感应耦合等离子体 原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 .同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果 .利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样 ,检测结果是一种整体的平均效果 .采用强流氧注入机进行高剂量氧注入 ,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染 ;6 0nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染 .
- 马芙蓉李雪春梁宏吴虎才李晓民陈如意罗晏卢志恒
- 关键词：SOI材料金属污染
- SOI材料上硅薄膜电池的研究被引量：1
- 2004年
- 用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(SiliconOnInsulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SiN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8 12%(1×1cm2,AM1 5,23℃)。扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射和钝化作用;电池的暗特性表明电池具有较高的串联电阻,并分析了正面引电极对串联电阻的影响。
- 吴虎才许颖王文静励旭东叶小琴周宏余
- 关键词：SOI化学汽相沉积
- 绝缘衬底上薄膜电池单面电极引出的研究
- 用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO隔离层,制备成SOI(Silicon On Insulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结制备太阳电池。电池电极采用四周型和叉指型两...
- 许颖吴虎才励旭东王文静廖显伯
- 关键词：太阳电池串联电阻
