吴雁军
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
- 本发明涉及一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料(SOI)及制备方法,属于微电子学领域。其特征在于利用氢、氦等离子注入与键合技术,形成以Si、SiC、SiGe、GaAs、InP、类金刚石等半导体薄膜材料为有源层,以SiO<Su...
- 张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁
- 文献传递
- 超薄SOI上应变锗硅材料的生长
- 超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为'容忍型衬氏'.薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分裂,电子和空穴的迁移率因此大大提高.本文中,...
- 狄增峰张苗吴雁军安正华朱鸣刘卫丽林成鲁
- 关键词：锗硅材料
- 文献传递
- SOI材料的制备及纳米空腔吸杂
- 该论文围绕这一微电子领域发展的前沿课题,根据国家自然科学基金和上海市青年科技启明星项目的需要,主要进行了以下三个方面的研究:一、以氢、氦离子注入引起的纳米空腔吸除体硅和SOI材料中的Cu杂质;二、针对高压器件、MEMS等...
- 吴雁军
- 关键词：吸杂注氧隔离
- 文献传递
- SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究
- 2003年
- 采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸附.SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用,但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂,且高温下会将杂质释放出来.Smart—cut SOI的氧化埋层界面完整,不具备吸杂作用.1000℃退火后,纳米孔可吸附高达3.5×1015cm-2以上的Cu杂质,纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高.当顶层硅中Cu剂量低于5×1014 cm-2时,纳米孔吸杂效率达到90%以上,并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4％以下.纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径.
- 张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁朱剑豪
- 关键词：SOI材料吸杂离子注入纳米孔铜金属杂质
- AlN薄膜室温直接键合技术被引量：6
- 2003年
- 采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 .
- 门传玲徐政安正华吴雁军林成鲁
- 关键词：直接键合绝缘层上硅离子束增强沉积
- SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究
- 本文对SOI MOS器件热载流子效应产生的机理进行了分析,并采用器件模拟的方法,对SOI NMOSFET和SOI PMOSFET的热载流子效应进行了研究分析.
- 林青朱鸣吴雁军张正选林成鲁
- 关键词：热载流子效应
- 文献传递
