周明秀
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：四川师范大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国工程物理研究院化工材料研究所资助项目四川省杰出青年科技基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Si表面Si-OH、SiO2结构的LDA与GGA研究被引量：2
- 2008年
- 在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和SiO2结构的计算.
- 杨春廖子夷余毅周明秀郁卫飞黄辉
- 关键词：密度泛函局域密度近似广义梯度近似
- 硅及多孔硅表面Si-OH、SiO<,2>结构的理论研究
- Si-OH、SiO2存在于硅及硅复合材料的表面，对硅及其复合材料的性能具有很大的影响。例如Si-OH存在于多孔硅的表面，对多孔硅的发光性能、多孔硅表面吸附爆炸等具有重要的意义;在硅器件中，硅片表面被氧化形成SiO2影响硅...
- 周明秀
- 关键词：硅多孔硅密度泛函理论发光性能
- 文献传递
- 多孔硅表面Si—OH结构的研究被引量：2
- 2006年
- 建立了2×1的表面为S i—OH结构的多孔硅(Porous S ilicon,PS)模型,在周期性边界条件下的K空间中,采用基于密度泛函理论广义梯度近似的平面波超软赝势方法,对S i—OH结构进行几何结构与电子结构的计算研究.通过分析优化后稳定的S i—OH结构,从理论上证实多孔硅的结构是完全不规则的,表面结构中两类S i—O键长值分别介于0.161-0.163 nm之间和0.168-0.170 nm之间,两类O—H键长值分别为0.097 nm和0.098-0.100 nm,角∠S i—O—H的值主要分布在109.0-°116.3°之间,角∠O—S i—O的值主要分布在96.2-°98.5°之间;最后通过电子局域函数ELF图分析了表面成键与表面电子分布特性.
- 周明秀杨春郁卫飞李金山
- 关键词：密度泛函电子密度
