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孙乔玉

作品数:6 被引量:18H指数:1
供职机构:兰州大学化学化工学院更多>>
发文基金:博士科研启动基金国家自然科学基金中国科学院科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇单分子
  • 3篇单分子膜
  • 3篇分子
  • 3篇分子膜
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学行为
  • 1篇循环伏安
  • 1篇氧化铝
  • 1篇配位
  • 1篇配位能力
  • 1篇配位作用
  • 1篇氢氧化铝
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外光
  • 1篇紫外光谱
  • 1篇自组装
  • 1篇自组装单分子...
  • 1篇自组装膜
  • 1篇羟基
  • 1篇羟基羧酸

机构

  • 6篇兰州大学

作者

  • 6篇孙乔玉
  • 3篇力虎林
  • 1篇张校刚
  • 1篇李晓红
  • 1篇黄吉儿
  • 1篇孙敏
  • 1篇邱陵
  • 1篇张原

传媒

  • 3篇高等学校化学...
  • 1篇应用化学

年份

  • 2篇2003
  • 2篇2001
  • 1篇1993
  • 1篇1986
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
金属指示剂-紫外分光法研究Ti(Ⅳ)-羧酸、羟基羧酸的配位作用
1986年
本文以铬变酸为Ti(Ⅳ)的金属指示剂,研究了pH1.50时10种羧酸对Ti(Ⅳ)的相对配位能力,用推导出的公式处理光吸收的测量值并定量地求出其相对配位能力,还研究了Ti(Ⅳ)和羧酸、羟基羧酸的紫外光谱,探讨了成键方式。
邱陵贾东方孙乔玉
关键词:配位能力配位作用紫外光谱羟基羧酸光吸收
醇类在Si-H表面形成单分子膜的特性被引量:1
2003年
以界面电容分析法为主并结合XPS、AFM技术研究了醇类分子在Si(111) H表面上形成的有机单分子膜的特性。并探讨了嫁接反应中影响单分子膜特性的某些因素和单分子膜的稳定性及其对硅表面氧化的钝化作用。在所选择的反应条件下 ,不同链长醇分子修饰的硅表面上 ,嫁接分子所占体积分数约为 80 % ,平带电位约为 - 1 0 0V(vs .SSE)。研究表明 。
孙乔玉黄吉儿C.Henry de Villeneuve力虎林P.Allongue
关键词:单分子膜醇类
氢氧化铝的生产方法
本发明公开一种可用低铝硅比的矿料,如高岭土,粘土等生产氢氧化铝的方法。本发明是将经粉碎、焙烧的矿料在加热条件下与硫酸铵反应,反应后的物料用水浸取,用现有技术中的除铁手段去除其中的铁,分离后的清液加入硫酸铵,经浓缩,冷却得...
赵曦白孙乔玉孙敏陈功信张原
文献传递
硅表面有机单分子膜的新表征方法──界面微分电容测量法
2003年
提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法 .通过对新制备的 H-Si( 1 1 1 )表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面 /电解液界面的微分电容的研究 ,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系 .实践证明这是一个简便、快速和有效的实验技术 ,为硅表面化学修饰与功能化研究提供了一个非常有力的工具 .
孙乔玉Catherine Henry de Villeneuve力虎林Philippe A llongue
关键词:膜结构
溶剂对自组装单分子膜电化学行为的影响被引量:17
2001年
用循环伏安法、交流阻抗分析和 STM研究了溶剂对自组装单分子膜电化学行为的影响 .讨论了以丙酮、二甲基亚砜、乙醇、二甲基甲酰胺和水为溶剂制备的 4 -羟基 -6-甲基 -2 -巯基嘧啶 ( HMMP)自组装单分子膜对抗坏血酸 ( AA)、多巴胺 ( DA)的电化学行为 .结果表明 ,不同溶剂下制备的单分子膜对 AA和 DA的催化氧化表现出截然不同的行为 ;交流阻抗分析定量得出 HMMP(丙酮 ) /Au电极与 HMMP(二甲基亚砜 ) /Au电极的交换电流密度分别为 1 .1 4μA/cm2 和 2 .0 4μA/cm2 ,电极表面覆盖度分别为 93.2 %和 96.2 % 。
孙乔玉张校刚李晓红力虎林
关键词:自组装膜电化学行为抗坏血酸单分子膜循环伏安
固体表面有机单分子膜的嫁接及其表征
随着电子器件的尺寸越来越小,构成器件的材料表面上原子的性质将影响甚至决定着器件的功能和特性;这样就对材料本身提出了更高的要求.作为电子工业基础材料的硅,表面原有的一层天然氧化物妨碍了其在一些领域的应用,虽然人们发现氢结尾...
孙乔玉
关键词:单分子膜
文献传递
共1页<1>
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