孙晓娟
- 作品数：220 被引量：36H指数：3
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法
- 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法，涉及真空镀精细图形镀膜的过程中的掩膜漏板的加工领域，它解决了现有采用化学腐蚀的方法制备金属掩板尺寸误差大，并且在加工过程中金属掩膜漏板容易发生侧腐的问题，本发明方法为：首先选择铁铬合金...
- 李志明孙晓娟宋航黎大兵陈一仁缪国庆蒋红
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- 一种360度超大广角紫外探测器
- 本发明提供了一种360度超大广角紫外探测器，属于紫外探测技术领域，包括紫外探测阵列、支撑体，所述紫外探测阵列的阵列结构与所述支撑体的外形结构相匹配；所述紫外探测阵列为基于宽禁带半导体材料的柔性探测材料制备而成；所述支撑体...
- 黎大兵贾玉萍孙晓娟蒋科陈洋石芝铭臧行张山丽
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- 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法
- 本发明涉及一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法，属于半导体技术领域。本发明的液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法通过液态石墨烯滴定或者旋涂的方式实现将石墨烯应用于GaN基光电子和微电子器件，石墨烯既可以作为G...
- 孙晓娟黎大兵贾玉萍刘贺男宋航李志明陈一仁缪国庆蒋红张志伟
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- 一种车载垃圾桶
- 本实用新型提供一种车载垃圾桶，其包括桶体、桶盖、套环、光敏传感器以及控制器。其中，桶盖可转动地安装在桶体的开口处，套环设置在桶体上，套环上设置有UV‑LED杀菌灯珠，光敏传感器设置在桶盖朝向桶体的一侧，如此，当桶盖被打开...
- 黎大兵王炳翔蒋科孙晓娟贲建伟贾玉萍
- 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性被引量：1
- 2010年
- 通过对多层GaSb量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时,聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表明,各层量子点在生长过程中存在关联效应,并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上,在继续生长其它量子点层时,聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发,从而出现空洞。PL谱出现了很宽的量子点发光峰,这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果。
- 竹敏宋航蒋红缪国庆黎大兵李志明孙晓娟陈一仁
- 关键词：PL谱
- 单片双波段集成式传感器及其制备方法
- 单片双波段集成式传感器及其制备方法涉及传感器技术领域，解决了现有集成困难、红外探测性能弱和结构复杂的问题，该装置包括依次从上至下设置的自支撑氮化镓单晶体材料、缓冲层、二维氮化物薄膜层和红外传感器电极，还包括第一紫外传感器...
- 黎大兵刘新科孙晓娟贾玉萍石芝铭蒋科贲建伟
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- 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法
- 本发明涉及一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法，属于半导体技术领域。解决了现有技术中P型AlGaN的迁移率低、空穴浓度低的问题。本发明的P型AlGaN材料，包括从下至上依次设置的氮化铝层、掺杂外延层和渐变...
- 黎大兵蒋科孙晓娟贾玉萍石芝铭刘贺男
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- 一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法
- 本发明提供了一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法，属于半导体技术领域，本发明的紫外探测器从下至上依次包括衬底、AlN层、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N层、石墨烯层、Al...
- 黎大兵蒋科孙凡孙晓娟贾玉萍陈洋石芝铭臧行
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- 晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响被引量：1
- 2009年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13～300K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律。
- 阎大伟宋航缪国庆于淑珍蒋红李志明刘霞曹连振郭万国孙晓娟
- 关键词：应力
- 一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法
- 本发明公开了一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：S1，根据氮化物单体位错的缺陷选择刻蚀方法；S2，表征刻蚀坑的形貌，确定氮化物单体位错的类型；S3，表征氮化物单体位错暗态下表面电势；...
- 黎大兵开翠红孙晓娟贾玉萍蒋科石芝铭
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