您的位置: 专家智库 > >

宋立媛

作品数:47 被引量:39H指数:4
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金云南省自然科学基金云南省应用基础研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 22篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇探测器
  • 10篇光电
  • 10篇光谱
  • 9篇红外
  • 9篇半导体
  • 8篇紫外
  • 7篇光敏材料
  • 7篇红外光
  • 6篇有机半导体
  • 6篇密度泛函
  • 6篇密度泛函理论
  • 6篇泛函
  • 6篇泛函理论
  • 6篇RAMAN光...
  • 6篇掺杂
  • 5篇石墨
  • 5篇紫外-可见光...
  • 5篇可见光
  • 5篇可见光谱
  • 5篇光电探测

机构

  • 46篇昆明物理研究...
  • 7篇云南大学
  • 7篇香港理工大学
  • 2篇北京理工大学
  • 2篇云南北方奥雷...
  • 1篇南开大学

作者

  • 47篇宋立媛
  • 43篇唐利斌
  • 31篇姬荣斌
  • 30篇陈雪梅
  • 21篇马钰
  • 20篇王忆锋
  • 19篇庄继胜
  • 11篇刘树平
  • 8篇陆志文
  • 7篇张筱丹
  • 7篇王善力
  • 6篇台国安
  • 6篇段瑜
  • 6篇叶婧
  • 6篇魏长松
  • 6篇许扬羽
  • 4篇王茺
  • 4篇杨宇
  • 4篇李艳辉
  • 3篇邓功荣

传媒

  • 20篇红外技术
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报

年份

  • 7篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 10篇2012
  • 14篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
47 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
平面构型有机红外或紫外光伏半导体探测器
本发明涉及光电子技术领域,尤其是一种平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器包括:衬底,有机红外或紫外半导体、低功函电极、以及高功函电极,其特征在于:低功函电极和高功函电极位于同一平面。本发明的平面构型有机红外或紫外光伏...
唐利斌姬荣斌宋立媛陈雪梅马钰王忆锋庄继胜
高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备被引量:2
2015年
通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m^2到20000 cd/m^2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm^2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m^2和500 cd/m^2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
段瑜张筱丹孙浩朱亚安王光华宋立媛于晓辉万锐敏季华夏李亚文
关键词:OLED微显示器件
光伏型有机紫外半导体探测器
光伏型有机紫外半导体探测器,涉及光电技术领域,尤其是一种光伏型的有机紫外半导体探测器。本发明的一种光伏型有机紫外半导体探测器,在特殊材料衬底上设置特殊材料各功能层构成三层、五层或七层结构。相对于光导探测器而言,光伏探测器...
姬荣斌唐利斌宋立媛陈雪梅马钰王忆锋庄继胜
有机半导体ADN的DFT理论计算研究
2012年
采用密度泛函理论(DFT)方法对9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)进行了B3LYP/6-31G水平上的分子结构优化、红外光谱、Raman光谱、紫外-可见光谱、分子前线轨道、Mulliken电荷等理论计算。研究结果表明:理论计算结果与实验数据吻合得较好,对IR、THz、UV-Vis吸收光谱和Raman散射光谱中的特征峰进行了归属,发现ADN在0.1~10 THz波谱范围内有5个明显的吸收峰,分别位于1.08、2.52、4.44、5.64及6.60 THz,其中5.64 THz的吸收是最强的,它是由萘环面外弯曲及蒽环面内摇摆振动产生的。ADN在紫外光波段有三个吸收峰,分别对应于386.34、352.98及352.50nm,其中386.34 nm的紫外吸收峰最强。ADN理论计算能隙值为3.516 eV,比实验值3.2 eV略高。ADN的Mulliken电荷计算表明,所有H原子的Mulliken电荷皆为正电荷,C原子Mulliken电荷与其具体的化学环境相关。
唐利斌姬荣斌刘树平王忆锋许扬羽叶婧陆志文台国安魏长松宋立媛陈雪梅马钰庄继胜
关键词:密度泛函理论RAMAN光谱紫外-可见光谱
本征和Al3+掺杂ZnO薄膜的特性研究
2012年
采用溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了本征及不同Al3+掺杂浓度的ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜,紫外-可见光吸收光谱及霍尔效应研究了Al3+掺杂浓度对ZnO:Al薄膜结构和光电性能的影响。结果显示,ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿晶体结构,具有很高的沿c轴的(002)择优取向,Al3+掺杂并没有改变ZnO的晶体结构,只是Al取代了Zn;掺杂前后薄膜样品均在ZnO带边吸收的位置有较强的吸收而在可见光范围吸收较小;并且当Al3+掺杂浓度为1.5%(摩尔百分比)时所获得的ZnO:Al薄膜具有最小的电阻率,为26Ωcm。
宋立媛唐利斌姬荣斌刘新近陈雪梅薛经纬庄继胜王茺杨宇
关键词:ZNO:AL薄膜X射线衍射
一种水溶性石墨烯量子点的水热制备方法
一种水溶性石墨烯量子点的水热制备方法,本发明涉及石墨烯量子点的制备技术,尤其是一种水溶性石墨烯量子点的水热制备技术。本发明的一种水溶性石墨烯量子点的水热制备方法,其特征在于该方法是在水热反应釜中加入0.01~1.0M多羟...
唐利斌姬荣斌宋立媛陈雪梅马钰王忆锋
文献传递
溶胶-凝胶法制备铝掺杂ZnO薄膜及其特性研究
ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料,其晶体具有六角纤锌矿结构,禁带宽度在室温下为3.34 eV,激子束缚能高达60 meV;因其优异的光电性能,ZnO材料在军事、民用等领域己发挥重要作用。由于向ZnO薄膜材料中掺入适量...
宋立媛
关键词:半导体材料氧化锌薄膜溶胶凝胶法
p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法
p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法,涉及探测器用光电薄膜制备领域,尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明的方法通过使用SnTe单靶,利用射频磁控溅射方法,采用较低的靶材功率、无需升高衬底...
宋立媛唐利斌郝群王静宇吕浩何文瑾李艳辉俞见云齐浩泽王海澎覃钢辛永刚庄继胜
有机红外半导体酞菁铒的掺杂及电学性质研究被引量:1
2008年
对固相合成法制备的有机红外半导体ErPc2进行了碘掺杂,有效地将ErPc2的电阻率降低了约3个数量级.研究了本征和碘掺杂有机红外半导体ErPc2电阻的温度依赖关系,碘的掺杂除显著地降低了ErPc2材料的电阻外,其电阻的温度特性没有本质的变化,本征和碘掺杂ErPc2都表现出指数型的电阻温度依赖关系.碘掺杂有效地降低了载流子的热激活能,使更多的载流子得以参与导电,掺杂后指前因子的减小也为降低材料的电阻率作出了贡献.解释了在高电场强度下本征有机红外半导体ErPc2的指数I-V关系.
唐利斌姬荣斌宋立媛陈雪梅李永亮荣百炼宋炳文
关键词:掺杂电学性质
碲化锡的制备、结构、性质及红外光电探测研究进展(特邀)被引量:1
2021年
族碲化锡化合物是直接带隙半导体材料,在室温和大气压条件下具有稳定存在的面心立方结构。作为拓扑晶体绝缘体,碲化锡具有高度对称的晶型结构、螺旋形的多重表面态和强健的拓扑保护特性、无带隙的拓扑表面态和窄带隙体态、室温下高的迁移率等优异性能,在制备无能耗、宽谱(从紫外光、可见光到红外光)、超快响应的新型光电探测器领域有巨大潜力。文中从适宜应用于光电探测器件的角度出发,对碲化锡材料的制备方法、晶体结构、性质进行了阐述,对近年来碲化锡在红外光电探测领域的研究进展进行了总结,展望了其在光电探测领域的发展前景,并提出了碲化锡作为光电器件亟需深入研究的几个方面。
宋立媛宋立媛郝群
关键词:光电性质光电探测器
共5页<12345>
聚类工具0