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岳丽

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：中科院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇量子点
  • 4篇量子点激光器
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇外腔
  • 3篇量子
  • 2篇INAS
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇INP
  • 1篇单光子
  • 1篇单光子源
  • 1篇低密度
  • 1篇砷化镓
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇深中心
  • 1篇数字微镜
  • 1篇数字微镜器件
  • 1篇瞬态

机构

  • 6篇中国科学院
  • 3篇曲阜师范大学
  • 2篇中科院上海微...
  • 1篇上海大学
  • 1篇深圳信息职业...
  • 1篇查尔姆斯理工...

作者

  • 7篇岳丽
  • 6篇龚谦
  • 4篇成若海
  • 4篇柳庆博
  • 4篇曹春芳
  • 4篇严进一
  • 4篇汪洋
  • 3篇王海龙
  • 2篇王庶民
  • 1篇李耀耀
  • 1篇李士玲
  • 1篇李世国
  • 1篇王凯
  • 1篇王新中
  • 1篇王瑞春
  • 1篇潘文武
  • 1篇吴晓燕
  • 1篇刘庆博
  • 1篇陈朋

传媒

  • 3篇光电子．激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
1.5mm腔长InAs/InP量子点激光器镜面外腔光谱特性研究
2012年
基于研制的1.5mm腔长InAs/InP共面条状量子点激光器,搭建了其镜面外腔结构,并对其光谱特性进行了测试,获得了镜面外腔周期性调制光谱,并在周期性的产生、多模激射和模式随电流的变化等方面对其光谱特性进行了分析研究。相比以前为获得单模使用的超短腔长超短外腔量子阱激光器,长腔长InAs/InP量子点激光器表现出较小的模式压缩比,更容易发生多模激射。
柳庆博龚谦曹春芳汪洋岳丽严进一成若海
关键词：INAS
气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
2016年
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。
王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民
关键词：深中心
高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器被引量：2
2014年
为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连续调谐测试和输出功率测试。在室温条件下获得了24.6nm的连续调谐范围,覆盖波长从999.2nm到1 023.8nm,并且实现了波长无跳模连续调谐。在调谐范围内最低阈值电流密度为1 525A/cm2,而且在中心波长处获得的单模输出功率为15mW,单模边模抑制比(SMSR)高达35dB。研究结果表明,通过构建光栅外腔可以实现高性能的InAs/GaAs量子点ECL。
康传振王海龙龚谦严进一成若海汪洋柳庆博曹春芳岳丽
关键词：外腔光栅
低密度InAs/GaAs量子点的GSMBE生长
单个量子点的发光具有反聚束特征,可以为量子信息处理、量子保密通信提供可靠的单光子源.化合物半导体外延生长的量子点具有很多优点:如量子点单光子源具有高的振子强度、窄的谱线宽度、不会发生光褪色,并且易于集成等,量子点单光子源...
岳丽龚谦严进一汪洋柳庆博成若海
关键词：化合物半导体单光子源
文献传递
基于DMD的外腔量子点激光器性能研究被引量：3
2013年
为了取得更加完善的外腔量子点激光器(QDL)测试数据,构建了基于数字微镜器件(DMD,digital micro-mirror device)的InAs/InP量子点外腔QDL。测量了其光谱特性以及调谐范围,得到了基于DMD的外腔QDL调谐范围和相应的模式变化。在理论和实验上与基于光栅的外腔QDL性能进行了比较,得到了在角色散和反射光谱中与光栅的区别,实现了将DMD应用于外腔QDL中而获得的一种新方法。
成若海王海龙龚谦严进一汪洋柳庆博曹春芳岳丽
关键词：INAS外腔
InAs/InP量子点激光器制备工艺研究被引量：2
2012年
报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的H2SO4∶H2O2∶H2O和H3PO4∶HCl腐蚀溶液和InP的腐蚀方向,在室温下选择性地腐蚀了InGaAs和InP,获得了窄脊条宽为6μm的量子点激光器。此激光器能够在室温连续波模式下工作,激射波长在光纤通信重要窗口1.55μm,单面最大输出功率超过12mW。
李世国龚谦王瑞春王新中陈朋曹春芳岳丽刘庆博
关键词：激光器量子点
GaSbBi薄膜的分子束外延生长
将少量的Bi原子凝入GaSb中,能够使价带顶升高,降低导带底,使禁带宽度变窄,拓展发光波长,在2-5μm中红外波段有很大的应用潜力,为GaSb基激光器能带结构的设计提供了一种新的解决途径.由于Sb和Bi是Ⅴ族中紧相邻的两...
岳丽张焱超陈熙仁张凡朱忠赟珅王利娟邵军王庶民
关键词：分子束外延生长晶体结构表面形貌发光特性
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