张兴旺
- 作品数：116 被引量：29H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
- 制备有序Al纳米颗粒的方法
- 本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取一衬底；2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯；3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板，形成所需图案；4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅...
- 游经碧张兴旺高云董敬敬陈诺夫
- 文献传递
- 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法
- 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢...
- 张兴旺蔡培锋游经碧范亚明高云陈诺夫
- 文献传递
- 基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法
- 本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法，涉及纳米材料制备技术领域。该方法包括：将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；对所述h‑BN进行厚度减薄处理；对所述h‑BN进行退火处理；在所述h‑BN衬底表...
- 王登贵张兴旺尹志岗孟军华
- 文献传递
- 由纳米棒和纳米叶组成的铁磁性的MnSb薄膜(英文)
- 2007年
- 提供了一种利用物理蒸发沉积技术在单晶硅上生长纳米尺度的MnSb薄膜的方法.X射线衍射分析表明薄膜的主要成分是MnSb合金.场发射扫描电镜观察到薄膜是由纳米尺寸的棒状物和叶状物组成.纳米棒的平均直径为20nm,长度在几百纳米范围内.纳米叶的厚度大约为20nm,宽度为100nm左右.用可变梯度磁力计测量了薄膜的磁滞回线,结果显示薄膜有很强的几何各向异性.
- 戴瑞烜陈诺夫张兴旺彭长涛吴金良
- 关键词：铁磁性MNSB物理气相沉积
- 在半导体ZnO上外延制备HfO<Sub>2</Sub>基铁电薄膜的方法及其系统
- 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备HfO<Sub>2</Sub>基铁电薄膜的方法及其系统，其中，该方法包括：提供HfO<Sub>2</Sub>基陶瓷靶材，其中，HfO<Sub>2</Sub>基陶瓷靶材含有掺杂元素；提...
- 程勇郑茂源吴金良尹志岗张兴旺
- 空间熔体材料科学:实践十号返回式科学实验卫星被引量：3
- 2016年
- 微重力为深入研究被地面重力掩盖的物理现象提供了难得的机遇。特别是,由于浮力对流得到抑制,同时非接触生长更易实现,空间微重力环境有助于制备组分均匀、低缺陷浓度的合金晶体。基于此,实践十号卫星材料科学项目重点关注如下议题:(1)高质量半导体三元合金晶体生长;(2)金属合金的凝固、缺陷控制及界面现象研究;(3)熔体润湿性及金属基复合材料的合成。卫星在轨期间,各科学实验将依托于温场精确、样品位置可控的空间多功能炉,依次有序开展。基于项目研究,不但有望在晶体生长机理方面形成新见解,还有助于改进地面材料制备工艺。
- 尹志岗张兴旺潘秀红
- 关键词：微重力晶体生长
- 改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法
- 本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二...
- 张曙光张兴旺尹志岗董敬敬游经碧
- 硅烷氨气比对PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：1
- 2011年
- 利用PECVD在硅片上沉积SiNx:H薄膜,研究硅烷氨气流量比对SiNx:H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明,硅烷氨气流量比(SAR)在0.09～0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分,而且随着SAR的逐渐增加,Si的含量逐渐增加,折射率逐渐增大。微波光电导衰退(μ-PCD)的测试结果表明,Si含量适中(也即折射率适中)的薄膜,相比Si含量过低或过高的薄膜,呈现出更为稳定的钝化效果。
- 屈盛毛和璜韩增华曹晓宁周春兰王文静张兴旺
- 关键词：晶体硅太阳电池
- 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法
- 一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；步骤4：在磁性纳米...
- 高云张兴旺尹志岗屈盛高红丽
- 文献传递
- 一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法
- 一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法，包括：在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层，在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜，在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂，得到黑蜡薄膜保护层，将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层，...
- 尹志岗张兴旺吴金良
- 文献传递
