张品
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 磁控溅射法沉积透明导电CdO薄膜的性能优化
- 氧化镉作为一种宽禁带/(Eg=2.3eV/)直接带隙化合物半导体，对应的波长处于太阳光谱在可见光波段能量最强值510nm附近。CdO以其高载流子浓度、高迁移率、高透过率以及在室温下就可获得高质量的薄膜等特点，被人们广泛的...
- 张品
- 关键词：透明导电氧化物薄膜直流磁控溅射
- 文献传递
- 柔性衬底PET上低温沉积ZnxCd(1-x)O透明导电薄膜被引量：2
- 2008年
- 利用直流反应磁控溅射在柔性衬底(聚乙烯对苯二酸脂,PET)上低温沉积了对可见光透明的低电阻率的Zn_xCd_(1-x)O薄膜,并研究了Zn含量x对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的结晶性能、电学性能及光学性能的影响.XRD分析结果表明,当x<0.65时,薄膜为CdO结构,但x>0.65时,薄膜为高度取向的ZnO结构.Hall效应测试显示,当x≤0.5时,薄膜的载流子浓度很高,电阻率为10^(-3)Ω·cm的数量级;迁移率随x增加先增大,在x=0.5处达到极大值,然后随x的增加而降低.紫外可见透射谱表明,掺Zn后的Zn_xCd_(1-x)O薄膜在整个可见光波段内的透过率远远高于纯CdO薄膜的透过率.综合分析结果表明,x=0.5是低温制备的低阻、高透光性能薄膜的最佳Zn含量.
- 季振国陈敏梅张品周强
- 关键词：直流磁控溅射柔性衬底透明导电膜
- 衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)
- 2007年
- 利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高。Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω.cm)。
- 王超季振国韩玮智席俊华张品
- 关键词：ZNO薄膜P型直流反应磁控溅射
