张滔
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响被引量：1
- 2013年
- 通过磁控溅射方法制备了不同成分的GeTe-Sb薄膜,利用电阻-温度(R-T)测试、X射线衍射(XRD)和电子显微学方法对其进行了电学性能和微观结构的表征。发现薄膜的晶化温度随着Sb含量的增加先升高后降低;XRD分析表明Sb含量的不同导致薄膜晶体结构的不同,GeTe-9.9%Sb和GeTe-21%Sb为GeTe型立方结构,GeTe-58%Sb,GeTe-72%Sb和GeTe-81.5%Sb呈Sb型菱方结构。在GeTe型和Sb型结构中,薄膜的晶粒尺寸都与晶化温度变化趋势相反。原位加热实验证实了Sb的加入对薄膜结晶机制产生了很大影响,GeTe-9.9%Sb是典型的形核主导,而GeTe-72%Sb则更趋向于生长为主导的结晶机制。
- 谷立新周夕淋张斌张滔刘显强韩晓东吴良才宋志棠张泽
- 关键词：相变材料晶化温度透射电镜
- V、Ag、Mo掺杂GST相变存储材料研究
- 相变存储器作为下一代非易失存储器在信息存储领域有着广阔的发展空间和应用前景。相变存储器在尺寸延缩性、功耗、兼容性上都表现出了巨大的优势，被认为最有可能取代目前的SRAM、DRAM和FLASH，成为未来的主流非易失性存储器...
- 张滔
- 关键词：晶化温度透射电镜磁控溅射
- Ag掺杂对Ge2 Sb2 Te5结晶行为的影响被引量：3
- 2014年
- 通过磁控溅射仪制备了Ge2Sb2Te5(GST)和Ag10.6(GST)89.4薄膜,利用X射线衍射(XRD)、电阻-温度(RT)测试、透射电子显微学以及径向分布函数(RDF)等方法对比研究了GST和Ag10.6(GST)89.4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高,而且结晶过程只有非晶相到面心立方相(fcc)的转变,没有出现GST的非晶到fcc再到六方相(hcp)的过程,XRD分析进一步证实了这一结果。同时,透射电镜原位加热实验证实了在300℃时,Ag10.6(GST)89.4仍然保持着fcc结构,而GST中已经出现了hcp相。通过统计230℃下时效处理的晶态薄膜的晶粒尺寸,发现Ag10.6(GST)89.4的平均晶粒尺寸小于Ge2Sb2Te5薄膜的,这可能是造成其晶态电阻高于GST的主要原因。
- 张滔郑坤张斌邵瑞文韩晓东张泽
- 关键词：AG掺杂相变材料磁控溅射透射电镜
