房玉荣
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院超导电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- Nb/AlOx-Al/Nb超导隧道结制备氧化工艺与特性研究
- 2012年
- 提出一种氧的等离子氧化的方法改善结区边缘绝缘性能,降低超导隧道结的漏电流。对Al膜进行等离子氧化能够有效的改善氧化膜的绝缘性能,AES分析表明:氧化绝缘层均匀,界面清晰;应用此方法成功制备出较好性能的Nb隧道结。
- 卢亚鹏曹春海李梦月许钦印肖伟房玉荣许伟伟康琳陈健吴培亨
- 关键词：超导隧道结阳极氧化
- Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究
- 2013年
- 研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流I c为55nA,漏电流为5nA。
- 房玉荣曹春海许钦印王林张广涵姚晓栋许伟伟孙国柱吴培亨
- 关键词：ALAL超导隧道结
- 全铌超导约瑟夫森结制备氧化工艺研究
- 卢亚鹏李梦月许钦印肖伟房玉荣许伟伟曹春海吴培亨
- Al/AlOx/Al超导隧道结制备
- 由于全铝结两字比特电路具有较长的消相干时间,用它来构建超导量子计算电路成为研究热点.我们研究了在高阻硅衬底上Al/AlOx/Al隧道结的制备技术.采用电子束蒸发技术原位制备Al/Al-AlOx/Al三层材料;采用光刻技术...
- 房玉荣曹春海许钦印张广涵姚晓栋孙国柱许伟伟吴培亨
