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昌路

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：南京大学电子科学与工程学院超导电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇超导
  • 4篇NBN
  • 3篇隧道结
  • 3篇超导隧道结
  • 2篇电子束
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇蒸发制备
  • 2篇薄膜生长
  • 2篇NB
  • 2篇TEM
  • 2篇铝
  • 2篇MGO
  • 1篇电子束蒸发法
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇蒸发法
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇微观结构
  • 1篇显微镜
  • 1篇冷却循环水
  • 1篇晶格

机构

  • 8篇南京大学

作者

  • 8篇昌路
  • 7篇吴培亨
  • 5篇康琳
  • 3篇赵少奇
  • 3篇吉争鸣
  • 3篇刘希
  • 2篇陆殷华
  • 2篇张静
  • 2篇许伟伟
  • 2篇陈健
  • 2篇李阳斌
  • 1篇孙静

传媒

  • 4篇低温与超导
  • 1篇第九届全国超...
  • 1篇第十届全国超...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
超导NbN薄膜的制备及NbN/AlN/NbNSIS结的工艺研究
在制备低温超导SIS结时，通常选用的电极材料为NbN和。Nb。NbN材料相比于传统的Nb材料而言，NbN具有超导转变温度高、电流密度大、能隙频率高等优点，但超导NbN材料的相干长度要小于Nb材料。所以选用NbN材料制备S...
昌路
关键词：晶格常数微观结构
MgO和Si上NbN超薄薄膜的生长研究被引量：1
2007年
我们在单晶MgO(100)、Si(100)和SiOx/Si基片上成功生长了纳米厚度的超薄NbN薄膜,利用现代分析手段:X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)等技术分析研究了所制备的超薄NbN薄膜的微观结构、厚度、表面界面情况等物理特性。研究表明,在MgO(100)基片上获得了外延生长的单晶NbN超薄薄膜,在Si(100)和SiOx/Si基片上获得的是多晶NbN超薄薄膜。厚度均约6nm左右。这些超薄薄膜的超导转变温度分别为:MgO上薄膜是14.46K,Si和SiOx上薄膜分别是8.74K和9.01K.
李阳斌康琳昌路吴培亨
关键词：NBN超薄薄膜
利用电子束蒸发制备铝隧道结工艺研究
本文采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(A1)薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成，超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)。当A1薄膜厚度大于500埃时，...
张静许伟伟昌路吉争鸣陆殷华陈健吴培亨
关键词：电子束蒸发法
文献传递
利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究
2007年
对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合。
昌路康琳刘希赵少奇吴培亨
关键词：透射电子显微镜
利用电子束蒸发制备铝隧道结工艺研究被引量：1
2009年
采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝(Al)薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成,超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)。当Al薄膜厚度大于500埃时,超导转变温度Tc=1.2K。电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好,具有较高的结晶质量,为制备Al超导隧道结奠定了良好基础。对小面积的Al超导隧道结工艺进行了研究,该超导隧道结两层的超导体材料为Al薄膜,中间势垒层材料为Al2O3。其中Al薄膜利用电子束蒸发制备,势垒层通过直接氧化Al薄膜表面实现,该工艺和采用直接蒸发氧化物薄膜工艺相比不仅简单而且能有效防止势垒层不连续造成的弱连接。
张静许伟伟昌路吉争鸣陆殷华陈健吴培亨
关键词：电子束蒸发
一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法
本发明提供了一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法，该方法包括(a)MgO或Si或SiOx/Si单晶基片的清洗；(b)将基片放入磁控溅射系统中的样品座上，样品座采用冷却循环水进行冷却，水温度低于摄氏20度；...
康琳昌路李阳斌吴培亨
文献传递
NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺
2007年
研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射。为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形。再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层。经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极。使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应。
刘希康琳孙静赵少奇昌路吉争鸣吴培亨
关键词：超导隧道结NBNALN磁控溅射
利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究
对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了...
昌路康琳刘希赵少奇吴培亨
关键词：电子显微镜薄膜生长硅基片
文献传递
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