林亮
- 作品数：16 被引量：103H指数：3
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 碳纳米管担载铂纳米颗粒作为甲醇氧化反应的电催化剂
- /活性炭被广泛用作甲醇燃料电池电催化剂.本项目以导电率更高且更稳定的碳纳米管代替活性炭来制备Pt/碳纳米管复合物,并利用离子液体调控Pt纳米颗粒的形貌,获得了尺寸可控、粒径窄、颗粒分布更加均匀的复合物.该复合物对甲醇氧化...
- 封格林亮
- 关键词：碳纳米管铂离子液体
- 预取对象的方法
- 本发明涉及一种对象关系持久化系统中预取对象的方法，包括接收到读请求后，根据该读请求对应的对象的类型和关键字，判断对象缓存中是否存储有所述对象的信息；若有存储，则返回读请求对应的对象的信息；否则，根据所述对象在系统中所存储...
- 梅宏曹东刚周明辉林亮
- 文献传递
- 一种碳纳米管和金属纳米颗粒复合物及其合成方法
- 本发明公开了一种碳纳米管和金属纳米颗粒复合物及其合成方法，属于碳纳米管技术领域。本发明碳纳米管和金属纳米颗粒复合物具有如下特点：金属纳米颗粒分散于碳纳米管表面，碳纳米管未经表面氧化处理，且金属纳米颗粒分散均匀，其单分散系...
- 褚海斌李彦王金泳封格林亮林子寅
- 文献传递
- 预取对象的方法
- 本发明涉及一种对象关系持久化系统中预取对象的方法，包括接收到读请求后，根据该读请求对应的对象的类型、关键字，判断对象缓存中是否存储有所述对象的信息；若有存储，则返回读请求对应的对象的信息；否则，根据所述对象在系统中所存储...
- 梅宏曹东刚周明辉林亮
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- GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究
- 测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线,其六个对应区域--反向偏压区、正向漏电流区、产生-复合电流区、扩散电流区、大注入区和串联电阻区,均偏离理想情形:反...
- 林亮陈志忠童玉珍于彤军秦志新张国义
- 关键词：氮化镓倒装焊电流电压特性
- 文献传递
- GaN基大功率倒装焊LED的电学、热学性质以及老化机理研究
- GaN基大功率倒装焊蓝光和白光LED(以下简称大功率LED)具有耗电量小、寿命长等优点，将在特种照明、景观照明、汽车照明和通用照明中被广泛应用，是半导体器件研究的热点。本论文主要研究了大功率LED的电学性质、热学性质和老...
- 林亮
- 关键词：发光二极管有限元分析电学性质热学性质
- 4-巯基苯硼酸修饰的金纳米粒子及用其检测细胞表面糖标记的方法
- 本发明提供一种4-巯基苯硼酸修饰的金纳米粒子及用其检测细胞表面糖标记的方法。本发明提供检测糖代谢标记的方法和提供更为接近天然产物的标签，并在标签不发生化学反应的基础上实现对标签的直接检测。在无需有毒催化剂等的条件下，运用...
- 陈兴田中群田向东林亮洪森炼
- 文献传递
- 白光LED的加速老化特性被引量：47
- 2005年
- 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。
- 林亮陈志忠陈挺童玉珍秦志新张国义
- 关键词：GAN基白光LED电流-电压光通量
- GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化被引量：9
- 2007年
- 针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定量的比较,给出了优化的电极结构。计算结果显示,在相同工艺参数下,采用插指型电极结构的LED与采用传统型电极结构和扩展正极型电极结构的LED相比,电流扩展更均匀,串联电阻更小。在此基础上,对插指型电极结构作了进一步的参数优化,得出了使LED的串联电阻取最小值时的插指型电极的结构参数。根据优化得到的参数制作了相应的LED样品,并与采用扩展正极型电极结构的LED做了对比实验。实验结果表明,计算得出的结果与实验结果符合得很好。采用了优化后的插指型电极结构的LED与采用扩展正极型电极结构的LED相比,前者的串联电阻仅为后者的44.4%。
- 潘华璞黄利伟李睿林亮陈志忠张国义胡晓东
- 关键词：GAN基LED电流扩展串联电阻有限元方法电极结构
- InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究
- 本文研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱的发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45cV的绿光发光峰和...
- 陈志忠徐科秦志新童玉珍林亮刘鹏齐胜利张国义
- 关键词：氮化镓多量子阱透射电子显微镜电致发光谱MOCVD生长
- 文献传递
