根据核探测器前端电子学的特点,改进传统的低压差电压稳压器(Low Drop-Out regulator,LDO)结构,得到对外部电容容值和等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)鲁棒的新型LDO,特别适合于核探测器的前端电子学领域。这一新型LDO结构对负载电容的鲁棒性比较强,而且电压净空低于200 mV,可以提升电源的效率。此外,这一结构电源的负载瞬态恢复时间比较小,小于400 ns,适用于模拟电路和模拟数字混合电路。本设计采用美国IBM公司的130 nm制程互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,为北京谱议(BESIII)的CGEM(Cylindrical Gas Electron Multipliers)探测器的前端电子学设计做电源供电;并为LHC(Large Hadron Collider)的第三代像素探测器的电源供电做技术储备。
设计了基于VA32-TA32芯片的γ暴偏振探测仪,用于探测γ暴的偏振度。设计中,采用多通道专用集成电路采集γ射线与多个塑料闪烁体棒发生康普顿散射的散射光子和电子信号,从采集的位置而得到入射γ暴射线的偏振度。该采集方法可大大降低传统电子学探测系统的功耗和复杂程度,从而为γ暴偏振探测仪的航天应用提供技术支撑。该探测仪的线性动态范围为66.9 d B,最大输入电荷量20 p C,串扰不大于0.1%,基线不大于±10 m V。
