欧阳远良
- 作品数：5 被引量：23H指数：3
- 供职机构：昆明贵金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 化学气相沉积制备铂族金属涂层及难熔金属被引量：5
- 2008年
- 综述了化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术制备高温抗氧化涂层—铂族金属(Pt、Ir)涂层及难熔金属(W、Mo、Ta、Nb、Re)的方法。并对部分有报道的沉积参数以及沉积参数对沉积层结构及性质的影响进行了介绍。
- 魏燕胡昌义王云欧阳远良陈力蔡宏中
- 关键词：金属材料难熔金属化学气相沉积
- MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究被引量：4
- 2006年
- 以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜。研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响。研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势。大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征。当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm。
- 戴姣燕胡昌义万吉高方颖欧阳远良高文桂刘伟平杨家明
- 贵金属化学气相沉积的研究进展被引量：12
- 2005年
- 简要介绍了贵金属薄膜和涂层材料化学气相沉积(CVD)技术的研究进展,包括贵金属的CVD制备方法、沉积贵金属的各种前驱体化合物以及CVD制备的贵金属薄膜和涂层的应用状况等。
- 胡昌义戴姣燕陈松欧阳远良王云
- 关键词：金属材料化学气相沉积前驱体
- 铱薄膜的MOCVD沉积规律研究
- 以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 技术在 Mo 基体上制备了 Ir 薄膜。研究了 Ir 的沉积速率与基体温度、乙酰丙酮铱的加热温度和运载气体(Ar)流速等沉积参数的关系。Ir 薄膜的沉积...
- 蔡宏中胡昌义陈力欧阳远良王云
- 关键词：MOCVD铱
- 文献传递
- MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究被引量：3
- 2006年
- 以乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在石英及YSZ基体上制备Pt/C薄膜,研究了Pt/C薄膜的结构和电化学性能。沉积过程中通入一定量的氧气可以大幅降低Pt/C薄膜中的含C量,含C较高的Pt/C薄膜的XRD谱线低而宽,具有非晶态衍射特征。在500℃测量温度下,以Pt/C薄膜为电极的YSZ氧气浓差电池的电动势及电流输出高于传统的Pt电极。
- 胡昌义戴姣燕方颖欧阳远良闫革新刘伟平程勇
- 关键词：MOCVD
