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武晓杰
作品数:
7
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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发文基金:
中国科学院“百人计划”
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
申德振
中国科学院长春光学精密机械与物...
李炳辉
中国科学院长春光学精密机械与物...
张振中
中国科学院长春光学精密机械与物...
张吉英
中国科学院长春光学精密机械与物...
范希武
中国科学院长春光学精密机械与物...
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中国科学院长...
作者
7篇
武晓杰
6篇
申德振
4篇
范希武
4篇
张吉英
4篇
张振中
4篇
李炳辉
3篇
刘可为
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李炳生
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吕有明
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2篇
姜明明
2篇
王双鹏
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赵东旭
传媒
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发光学报
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2014
3篇
2008
2篇
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采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法
本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法,属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀,采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时,沉积速率低的技术问题。本发明...
张振中
申德振
武晓杰
王双鹏
姜明明
李炳辉
文献传递
Fe掺杂对CdS光学特性的影响
被引量:4
2008年
采用低压金属有机化学气相沉积技术,在固定源流量的条件下,通过调节衬底温度(270~360℃)生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小,但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分:2.5eV附近带-带跃迁的发光以及2.0~2.4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加,带-带跃迁逐渐被抑制,发光光谱被缺陷相关的发光主导,同时薄膜的电导也由n型转为p型,说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量,我们将2.0~2.4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射,并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。
武晓杰
张吉英
张振中
申德振
刘可为
李炳辉
吕有明
李炳生
赵东旭
姚斌
范希武
Fe基自旋材料CdFeS和FeSe的生长及特性研究
半导体自旋电子学是当前信息科学领域的重要分支,自旋材料及器件在磁存储及量子计算等领域已经展现出广阔的应用前景。自旋器件以电子的自旋作为信息载体,与传统的磁器件和微电子器件相比,具有更强的功能,更高的速度,更少的功耗和更高...
武晓杰
关键词:
半导体自旋电子学
稀磁半导体
MOCVD
FESE
隧穿磁电阻
磷扩散掺杂的ZnO微米柱的光学性质
宽禁带半导体 ZnO 已成为光电子领域新的研究热点。其高达60 meV 的激子结合能保证了 ZnO 基材料在室温下的高效率激子发光,也为其室温低阈值受激发射提供了可能。因此,越来越多的人们投入到 ZnO 基发光和激光器件...
张振中
姚斌
吕有明
武晓杰
李炳辉
张吉英
赵东旭
申德振
范希武
文献传递
采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法
本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法,属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀,采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时,沉积速率低的技术问题。本发明...
张振中
申德振
武晓杰
王双鹏
姜明明
李炳辉
文献传递
一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
本发明涉及采用低压-金属有机化学气相沉积设备外延生长稀磁半导体合金薄膜的方法。首先选择晶格匹配较好的半导体衬底并进行清洗和600-650℃热处理。采用的反应源为:二甲基镉(DMCd),五羰基铁Fe(CO)<Sub>5</...
武晓杰
张吉英
刘可为
申德振
范希武
李炳生
文献传递
一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
本发明涉及采用低压-金属有机化学气相沉积设备外延生长稀磁半导体合金薄膜的方法。首先选择晶格匹配较好的半导体衬底并进行清洗和600-650℃热处理。采用的反应源为:二甲基镉(DMCd),五羰基铁Fe(CO)<Sub> 5<...
武晓杰
张吉英
刘可为
申德振
范希武
李炳生
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