江素华
- 作品数：29 被引量：54H指数：5
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市科学技术委员会科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学一般工业技术理学更多>>
- 基于特异材料超吸收体的表面增强拉曼散射基底及其制备方法
- 本发明属于微纳光子学和生物分析化学技术领域，具体为一种基于特异材料超吸收体的表面增强拉曼散射基底及其制备方法。本发明提供的表面增强拉曼散射基底为制作于衬底上的三层结构的光学特异材料超吸收体，分别为连续金属膜层、介质隔离层...
- 甘巧强江素华张楠刘恺宋昊旻曾勰纪登鑫
- 文献传递
- 一种硅纳米管的制备方法
- 本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米...
- 陈扬文江素华邵丙铣王炜
- 文献传递
- NiCo_2S_4六角片作为钠离子电池负极材料的电化学性能及储钠动力学被引量：8
- 2019年
- 通过共沉淀以及后续的气相硫化成功制备了横向边长约为2μm,纵向厚度约为30 nm的NiCo_2S_4六角片,并研究了其作为钠离子电池负极材料的电化学性能。电化学性能测试结果显示在1000 mA·g^(-1)的电流密度下,NiCo_2S_4电极循环60次后仍然可保持约387mAh·g^(-1)的可逆比容量。此外,NiCo_2S_4电极还具有良好的倍率性能,在200、400、800、1000和2000mA·g^(-1)的电流密度下,容量分别为542、398、347、300和217mAh·g^(-1)。通过进一步动力学机制分析发现,NiCo_2S_4电极的良好的倍率性能得益于其二维片层状结构诱导产生的赝电容。上述结果表明,NiCo_2S_4纳米六角片是一种极具潜力的钠离子电池负极材料。
- 赵明宇朱琳付博文江素华周永宁宋云
- 关键词：钠离子电池负极材料赝电容
- 化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
- 2009年
- 化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能。介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证。由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景。
- 杨柳滨江素华郝茂盛李越生
- 关键词：分光光度法
- 高压条件下合成硅纳米线被引量：3
- 2007年
- 随着现代芯片集成度的不断增加。晶体管的特征尺寸持续减小．著名的摩尔定律受到了极大的挑战。按现在材料、工艺技术的发展，体硅技术在今后发展一段时间后将达到其极限．这就要求有新的材料、新的工艺来满足将来IC工业发展要求。硅纳米线由于其本征材料仍然是硅．能与现代微电子技术相兼容．受纳米尺度量子效应、库仑阻塞效应、表面效应等因素的影响．
- 陈扬文江素华邵丙铣汪荣昌
- 关键词：硅纳米线
- 一种基于表面等离子体共振的金属薄膜表面色散调制方法
- 本发明属于金属表面图形化技术领域，具体涉及一种基于表面等离子体共振的金属薄膜表面色散调制方法。本发明利用不同组分配比的合金薄膜介电常数的不同导致表面等离子体共振峰位随合金成分变化这一特点，实现了金属薄膜的色散特性的自由调...
- 江素华刘哲郡
- Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺
- 2008年
- 研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒。
- 陈扬文江素华邵丙铣戎瑞芬汪荣昌顾志光王家楫
- 关键词：SI纳米线磁控溅射退火
- 等离子体浸没注入对Ta薄膜的改性及Cu/Ta-X/SiO<sub>2</sub>体系失效机理研究
- 集成电路（IC）的发展日新月异,随着线宽缩小,集成复杂度不断提高,由互连结构所产生的RC延迟已成为制约芯片运行速度的主要因素。Cu以其电阻率低,抗电迁移能力强等优势日益取代Al互连,成为IC金属互连材料佳选。但Cu在Si...
- 江素华
- 关键词：CU互连扩散阻挡层钽晶界扩散电迁移
- 一种形貌可控的一维硅纳米材料的制备方法
- 本发明属半导体微电子、纳电子技术领域，具体为一种形貌可控的一维硅纳米材料的制备方法。该方法以硅（Si）和一氧化硅（SiO）混合粉末为原料，在较高温度和较低气压条件下，通过添加稀土元素镧（La）作为一种特别的气化调节剂来调...
- 江素华张文文
- 文献传递
- 一种低成本大面积薄膜超吸收体及其制备方法
- 本发明属于微纳光子技术领域，具体为一种低成本大面积薄膜超吸收体及其制备方法。该方法基于广泛使用的镀膜和热退火方法，制备出整体形貌可控的金属颗粒阵列或微纳网状结构作为三层或五层薄膜型人造特异材料超吸收体的耦合微纳天线，其为...
- 甘巧强江素华刘恺
- 文献传递
