潘淼
- 作品数：18 被引量：36H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省科技重大专项福建省科技厅重大项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信冶金工程更多>>
- 金属硅的酸洗和氧化提纯被引量：15
- 2009年
- 为了降低金属硅酸洗的后续工艺难度,在成熟的常温酸洗技术的基础上加上湿氧氧化新技术对金属硅进行提纯.酸洗主要作用是去除大部分裸露在金属硅颗粒表面的金属杂质;而湿氧氧化后,使颗粒内部分凝系数(在硅和二氧化硅系统中的分凝系数)较小的硼在高温下扩散进入二氧化硅中,再腐蚀去除氧化层和其中的杂质.实验表明该方法对硼杂质有明显的提纯作用,提纯后,硼杂质的含量最低为4×10-6.两种技术在工艺上兼容,在提纯目标上互补,是非常有效的低能耗和低成本的提纯方法.
- 庞爱锁潘淼郭生士吴正云陈朝
- 关键词：金属硅酸洗提纯
- 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法
- 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进...
- 陈朝郑兰花潘淼李艳华杨倩徐进
- 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法
- 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进...
- 陈朝郑兰花潘淼李艳华杨倩徐进
- 文献传递
- UMG多晶硅片的少子寿命被引量：2
- 2013年
- 利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s。
- 潘淼郑兰花武智平罗学涛陈文辉李锦堂陈朝
- 关键词：少子寿命热氧化
- 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法
- 冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池。提供一种可采用较低纯度(5～6N)的硅材料，大幅度降低生产成本的冶金法多晶硅太阳能电池的制备方法。将待处理的冶金法多晶硅片通磷源进行磷吸杂处理并去除吸杂层；将进行磷吸...
- 陈朝潘淼庞爱锁武智平郑兰花罗学涛
- 文献传递
- 低成本多晶硅太阳电池性能的模拟
- 2013年
- 提出低成本太阳能级多晶硅太阳电池的一维模型,多晶硅材料是由物理冶金法提纯的。在接近实际的条件下,计算了晶粒大小和晶界复合速率对电池光电转换效率的影响。模拟结果与实验数据基本吻合。实验和模拟结果表明要使电池性能达到最佳,晶粒尺寸需大于5mm;晶界复合速率足够低的情况下,对晶粒尺寸的要求可降低。
- 潘淼张寅博陈朝
- 关键词：晶粒尺寸
- 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化被引量：1
- 2011年
- 对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。
- 武智平潘淼庞爱锁李艳华陈朝
- 关键词：多晶硅少子寿命
- 太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪
- 太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪，涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、滤波片、相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座，太阳能电池...
- 陈朝李艳华庞爱锁潘淼何发林杨倩武智平郑兰花罗学涛
- 文献传递
- 晶体硅太阳电池数值模拟软件及其应用被引量：1
- 2012年
- 提出一种在Matlab/GUI环境下设计的晶体硅太阳电池数值模拟软件,通过光生少数载流子连续性方程建立了单晶硅N+/P/P+结构太阳电池的物理模型。通过引进有效迁移率和有效少子扩散长度概念,并考虑多晶硅中晶界复合后,实现了对单晶硅、柱状多晶硅太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子、转化效率、串并联电阻等电池性能的参数指标的数值模拟。程序模拟结果通过数值和图形两种方式输出,模拟结果与实验结果接近,能够为晶体硅太阳电池的设计与制备起到较好的指导作用。本程序对于以N型材料为衬底的晶体硅太阳电池同样适用。
- 张寅博潘淼程翔陈朝
- 关键词：晶体硅太阳电池数值模拟
- 电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用被引量：16
- 2011年
- 论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光（Electrolum inescence,EL）成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法。硅太阳能电池的EL波长范围为850~1200 nm。正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度。用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷。由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型。
- 李艳华潘淼庞爱锁武智平郑兰花陈朝
- 关键词：硅太阳能电池EL
