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文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇光纤
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 4篇辐射发光
  • 4篇超辐射
  • 4篇超辐射发光二...
  • 3篇光源
  • 3篇半导体
  • 3篇超荧光
  • 2篇输出功率
  • 2篇腔面
  • 2篇热沉
  • 2篇铒镱共掺
  • 2篇磷酸盐玻璃
  • 2篇膜系
  • 2篇激光
  • 2篇共掺
  • 2篇光纤光源
  • 2篇光学

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇焦健
  • 11篇谭满清
  • 7篇郭小峰
  • 7篇郭文涛
  • 5篇孙宁宁
  • 4篇杜峰
  • 1篇孙孟相
  • 1篇赵妙
  • 1篇熊迪

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇导航与控制

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种光纤激光器装置
本发明公开了一种光纤激光器装置,包括:制冷器,对激光器管芯进行控温;热沉;过渡热沉,与所述热沉共同对激光器管芯和增益光纤散热;热敏电阻,精确控制制冷器的温度;激光器管芯,产生第一预定波长的激光;第一光纤部分,包括楔形透镜...
杜峰谭满清焦健郭小峰郭文涛孙宁宁
文献传递
一种SOI平面波导布拉格光栅及制作方法
本发明提供了一种高端面反射率窄反射带宽的SOI平面波导布拉格光栅及其制作方法,该光栅能有效进行窄带滤波,减小背面反射,实现高的端面反射率,提高波导与光纤的耦合效率;同时,能够实现SOI波导光栅制作过程中高精度的对准以及制...
熊迪谭满清郭文涛焦健郭小峰
文献传递
一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法
本发明公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法,采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜,实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明采用斜三角形吸收区的波导形式,它的三条边与...
谭满清焦健
一种小型化的铒镱共掺超荧光光纤光源
本发明公开了一种小型化的铒镱共掺超荧光光纤光源,包括制冷器、热沉、过渡热沉、热敏电阻、980nm激光管芯、楔形透镜、双透镜耦合系统、高反射率薄膜、铒镱共掺磷酸盐玻璃单模光纤、石英玻璃管、光纤连接器和光隔离器。利用本发明,...
谭满清杜峰焦健郭小峰郭文涛孙宁宁
文献传递
超辐射发光二极管的瞬时辐射效应实验研究
抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐射实验,结果显示,在2.0×1011~2.5×101Irad(Si)/s的剂量率范围内,SLD...
Jian Jiao焦健Manqing Tan谭满清Xiaofeng Guo郭小峰Wentao GUO郭文涛Ningning SUN孙宁宁
关键词:半导体器件超辐射发光二极管光输出功率光谱特性
小型化集成超荧光光纤光源研究被引量:2
2016年
对超荧光光纤光源(ASE光源)的原理与结构进行分析。研究了高掺杂ASE光源的团簇效应,并进行结构设计。对输出光谱进行平坦化处理,对影响光源输出光谱稳定性的几个因素进行了定性分析,为研究小型化集成化超荧光光纤光源提供了理论基础。
杜峰郭文涛谭满清焦健郭小峰
关键词:超荧光光源掺铒光纤光学滤波器
超辐射发光二极管的总剂量辐射效应实验
采用Co-γ线模拟源对超辐射发光二级管(SLD)模块进行了大量总剂量辐射的模拟实验,最高剂量率为50 rad/s,总剂量的范围为1×10 rad/Si~1×10 rad/Si,对辐照前后器件的特性参数进行了测试。结果发现...
焦健谭满清赵妙孙孟相
关键词:总剂量辐射输出功率
文献传递
一种小型化的铒镱共掺超荧光光纤光源
本发明公开了一种小型化的铒镱共掺超荧光光纤光源,包括制冷器、热沉、过渡热沉、热敏电阻、980nm激光管芯、楔形透镜、双透镜耦合系统、高反射率薄膜、铒镱共掺磷酸盐玻璃单模光纤、石英玻璃管、光纤连接器和光隔离器。利用本发明,...
谭满清杜峰焦健郭小峰郭文涛孙宁宁
一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法
本发明公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法,采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜,实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明采用斜三角形吸收区的波导形式,它的三条边与...
谭满清焦健
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PECVD提高SiO_2薄膜致密性的研究被引量:7
2013年
为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响。实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶红外光谱仪得到SiO2薄膜的红外吸收特性,采用原子力显微镜(AFM)观察SiO2薄膜的表面形貌。通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为9.18 nm/s的SiO2薄膜。
郭文涛谭满清焦健郭小峰孙宁宁
关键词:PECVDSIO2薄膜致密性
共2页<12>
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