熊海
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
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- MOS结构电容高频C-V特性的应用被引量：5
- 2010年
- CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。
- 熊海孔学东章晓文
- 关键词：MOS电容电荷密度界面态
- 超薄栅氧化层中应力诱导漏电流的研究
- 随超大规模集成电路的发展,栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用。应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层质量的重要参数。在这篇文章中栅漏电流的变化量被用来监控MOSFET器件中氧化层的老化。本文就...
- 熊海孔学东章晓文
- 关键词：隧穿电流可靠性
- 文献传递
- 利用高频C-V特性评价CMOS工艺被引量：1
- 2010年
- MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。
- 熊海孔学东章晓文汪顺婷
- 关键词：MOS电容界面态
