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王国胜

作品数：21 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
发文基金：安徽省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 17篇探测器
  • 15篇紫外探测
  • 15篇紫外探测器
  • 10篇光电
  • 10篇半导体
  • 9篇电子器件
  • 9篇光电子
  • 9篇光电子器件
  • 9篇半导体光电
  • 9篇半导体光电子...
  • 6篇肖特基
  • 4篇载流
  • 4篇载流子
  • 4篇紫外
  • 4篇光谱响应
  • 4篇光生
  • 4篇光生载流子
  • 3篇带通
  • 3篇信号采集
  • 3篇信号采集电路

机构

  • 21篇中国电子科技...

作者

  • 21篇王国胜
  • 20篇郭进
  • 18篇王俊
  • 16篇谢峰
  • 9篇吴浩然
  • 9篇宋曼
  • 4篇易媛媛
  • 3篇万静龙
  • 3篇陆学军
  • 3篇王逸群
  • 2篇王皖君
  • 2篇周杰
  • 1篇陆海
  • 1篇赵恒

传媒

  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器
本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高...
王俊郭进王国胜金里
文献传递
一种带紫外火焰监测的燃气热水器
本发明公开了一种带紫外火焰监测的燃气热水器，包括燃烧腔和设置于燃烧腔之外的硬件电路板；所述硬件电路板包括依次串联的信号采集电路、跨阻放大电路、限幅放大电路、微处理器；所述信号采集电路包括GaN紫外探测器。本发明采用了Ga...
宋曼郭进谢峰万静龙王俊王唐林吴浩然陆学军王国胜王逸群
基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器
本实用新型基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器涉及一种半导体光电子器件。其目的是为了提供一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器，该紫外探测器通过阻挡势垒结构对探测器的输运模式进行选择，同时采用先...
王俊郭进王国胜吴浩然王唐林宋曼易媛媛谢峰
文献传递
一种新型GaN基PIN结构紫外探测器
本发明公开了一种新型GaN基PIN结构紫外探测器，属于半导体光电子器件技术领域，该器件包括衬底、缓冲层、N型短波过滤层、I型吸收层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极以及N型阻挡层，缓冲层外延在衬底上，N...
王俊谢峰郭进王皖君王国胜周杰
一种双异质结紫外探测器
本发明公开了一种双异质结紫外探测器，所述GaN吸收层的上表面形成正的极化电荷，下表面形成负的极化电荷；在极化电荷的作用下，所述AlN缓冲层和GaN吸收层的界面间形成作为光生空穴的输送通道二维空穴气2DHG，GaN吸收层与...
王俊郭进余第喜金里赵恒程国云王国胜李由
文献传递
低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法
本发明公开一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述...
王国胜谢峰王润王俊郭进
文献传递
基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器
本发明基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器涉及一种半导体光电子器件。其目的是为了提供一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器，该紫外探测器通过阻挡势垒结构对探测器的输运模式进行选择，同时采用先进的...
王俊郭进王国胜吴浩然王唐林宋曼易媛媛谢峰
一种便携式紫外消毒器
本实用新型公开一种便携式紫外消毒器包括中壳、上包围外壳、下包围外壳、紫外光源、电芯，所述中壳为中空且分为上腔体与下腔体，所述上腔体顶端与所述下腔体底端封闭，所述上包围外壳固定镶嵌覆盖于所述上腔体表面，所述下包围外壳固定覆...
王润谢峰王国胜郭进
文献传递
一种肖特基势垒增强型N-AlGaN基MSM日盲紫外光电探测器
2015年
研制一种以薄的高阻Al Ga N覆盖层作为肖特基势垒增强层的N-Al Ga N基金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外光电探测器。与无覆盖层的参考器件相比,覆盖高阻Al Ga N层后探测器的暗电流大幅度减小。在5 V偏压下,覆盖高阻Al Ga N层的光电探测器的暗电流为1.6 p A,响应度为22.5 m A/W,日盲紫外抑制比大于103,探测率为6.3×1010cm·Hz1/2/W。
王国胜谢峰王俊王唐林宋曼吴浩然郭进
关键词：探测器紫外光电探测器铝镓氮日盲肖特基势垒
一种新型GaN基PIN结构紫外探测器
本发明公开了一种新型GaN基PIN结构紫外探测器，属于半导体光电子器件技术领域，该器件包括衬底、缓冲层、N型短波过滤层、I型吸收层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极以及N型阻挡层，缓冲层外延在衬底上，N...
王俊谢峰郭进王皖君王国胜周杰
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