王孙涛
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 注碳GaN的拉曼散射谱研究被引量：1
- 1999年
- 本文研究了离子注入碳的GaN材料的Raman光谱。观察到离子注入碳的GaN在800℃退火后其拉曼光谱在1350和1600cm-1处出现两个峰。分析指出它们很可能分别来自GaN的CN和C=C局域伸缩振动。
- 孙文红王孙涛段家忯陈开茅濮玉梅王敬秦国刚
- 关键词：GAN拉曼光谱碳发光器件
- Au/(SiO_2/Si/SiO_2)纳米双势垒/n^+-Si结构的电致发光研究被引量：1
- 2000年
- 利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n+ Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n+ Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n+ Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n+ Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .
- 孙永科衡成林王孙涛秦国刚马振昌宗婉华
- 关键词：电致发光
- 几种纳米硅/纳米二氧化硅复合结构和自支撑多孔硅膜的发光研究
- 该文仔细讨论了几种纲米硅/纳米二氧化硅复合结构和自支撑多孔硅膜的发光性质,重点研究了纳米富硅二氧化硅薄膜中掺铝对Au/纳米富硅二氧化硅/p-Si结构的电致发光的影响,Au/(SiO<,2>/Si/SiO<,2>)纳米双势...
- 王孙涛
- 关键词：纳米硅双势垒拉曼谱多孔硅
- GaAs/SiO_2超晶格的制备和Raman光谱研究
- 2000年
- 我们采用射频磁控溅射方法在 p- Si衬底上成功地制备出四周期的非晶 Ga As/Si O2超晶格 ,并取得其高分辨率电镜像。以 80 0℃快速退火方法使超晶格中非晶的 Ga As层局部晶化 ,利用 Raman散射谱研究了其结构变化。
- 衡成林王孙涛秦国刚王敬王永鸿陈坚邦濮玉梅陈晶
- 关键词：超晶格砷化镓拉曼光谱
- 在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响被引量：2
- 2001年
- 利用射频磁控溅射方法 ,制成纳米 Si O2 层厚度一定而纳米 Si层厚度不同的纳米 (Si O2 / Si/ Si O2 ) / p- Si结构和纳米 (Si O2 ∶ Al/ Si/ Si O2 ∶ Al) / p- Si结构 ,用磁控溅射制备纳米 Si O2 ∶ Al时所用的 Si O2 / Al复合靶中的 Al的面积百分比为 1% .上述两种结构中 Si层厚度均为 1— 3nm ,间隔为 0 .2 nm .为了对比研究 ,还制备了 Si层厚度为零的样品 .这两种结构在 90 0℃氮气下退火 30 m in,正面蒸半透明 Au膜 ,背面蒸 Al作欧姆接触后 ,都在正向偏置下观察到电致发光 (EL ) .在一定的正向偏置下 ,EL强度和峰位以及电流都随 Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .但掺 Al结构的发光强度普遍比不掺 Al结构强 .另外 ,这两种结构的 EL具体振荡特性有明显不同 .对这两种结构的电致发光的物理机制和 Si O2 中掺
- 王孙涛陈源张伯蕊乔永萍秦国刚马振昌宗婉华
- 关键词：电致发光纳米硅铝掺杂
