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王钰

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省工业科技重点项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇图形衬底
  • 1篇硅基
  • 1篇SI(100...
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇厦门大学

作者

  • 2篇李成
  • 2篇陈松岩
  • 2篇周志文
  • 2篇王钰
  • 2篇赖虹凯
  • 1篇余金中
  • 1篇周志玉

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ge/Si（100）量子点生长与形态分布的研究
＜正＞在 S—K模式下自组装生长的 Ge 量子点具有随机分布的特点,很难达到器件的应用要求,制备有序性的 Ge 量子点成为提高器件性能的关键。本文利用超高真空化学气相淀积（UHV—CVD）系统, 通过控制淀积量、温度、流...
周志玉王钰周志文李成陈松岩余金中赖虹凯
文献传递
激光全息法制备二维硅基图形衬底
2007年
理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形.在此基础上,采用三束光一次曝光和湿法腐蚀图形转移技术,在n型(100)硅衬底上制备出了周期在亚微米量级的均匀二维图形阵列.该方法适合大面积硅基图形阵列的制作.
王钰周志文李成陈松岩赖虹凯
关键词：硅基图形衬底
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