田华
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：贵州大学理学院更多>>
- 发文基金：贵州省教育厅自然科学研究项目贵州省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 制备参数对TbFeCo磁光薄膜性能的影响被引量：3
- 2011年
- 对采用磁控溅射制备TbFeCo/Si、Ag/TbFeCo/Si系列薄膜的溅射工艺进行了研究,分析了TbFeCo薄膜的生长机理,并对其光学性质、磁性质和磁光性质进行了分析。实验结果表明,不同压强对TbFeCo薄膜的成分比有明显的影响,确定了工作压强为2.0 Pa是适合的,这时制备的薄膜的成分原子比和靶的原子比最接近。用全自动椭圆偏振光谱仪测量了TbFeCo薄膜在1.5~4.5eV的椭偏光谱,结果表明,随着工作气压、溅射功率和Ar气流量的变化,薄膜的光学性质均发生明显变化。对制备的Ag/TbFeCo/Si和TbFeCo/Si磁光薄膜的磁光性质进行了分析,结果表明,Ag保护膜对TbFeCo磁光薄膜的磁光性质会产生显著影响。
- 张勇张晋敏田华
- 关键词：磁控溅射椭偏光谱光学常数
- 退火对Fe/Si结构原子间互扩散及显微结构的影响(英文)被引量：5
- 2007年
- 在Si（100）衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600-1000℃真空退火2h，用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射（RBS）测量,并用SIMNRA6.0程序分析了测量结果,给出了界面附近Fe原子与Si原子间互扩散的完整图像，扫描电镜（SEM）观察和X射线衍射（XRD）测量表征了不同温度退火2h后Fe/Si系统表面的显微结构和晶体结构，由RBS、XRD测量与SEM观察结果,分析了退火过程对磁控溅射制备的Fe/Si双层膜结构原子间的互扩散行为、硅化物形成及显微结构的影响。
- 张晋敏谢泉曾武贤梁艳张勇余平田华
- 关键词：磁控溅射退火互扩散
- 溅射气压对TbFeCo磁光薄膜的光学常数的影响
- 2007年
- 利用直流磁控溅射制备了TbFeCo/Si薄膜，采用可变入射角全自动椭圆偏振光谱仪，测量了用磁控溅射法制备的TbFeCo/Si薄膜的光学常数，测量能量范围为1．5～4．5eV。分析了不同氩气压强对磁控溅射制备的TbFeCo/Si磁光薄膜的光学常数的影响。实验结果表明，在低能区域，样品的所有光学常数均随压强增加而增加，受制备工艺影响较大。但在高能区域，光学常数随压强的变化相对说来不再明显．
- 张勇张晋敏余平田华
- 关键词：磁控溅射椭偏光谱光学常数
- 使用DDR-SDRAM存储芯片实现数据存储系统设计
- 2009年
- DDR-SDRAM是传统动态随机存储器—DRAM的进步,拥有明显的性能优势。使用可复用层次化设计理念实现基于DDR-SDRAM器件的数据存储系统设计具有符合当前DDR数据存储系统设计需求独立化的需求。最后简单介绍了设计中的主要仿真结果,对设计的科学性进行了实际检验。
- 田华张晋敏
- 关键词：DDR-SDRAM可复用仿真
