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程新红

作品数：182 被引量：61H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 140篇专利
  • 36篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 68篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 28篇SOI
  • 21篇电路
  • 20篇功率器件
  • 16篇金属
  • 14篇栅介质
  • 14篇介质
  • 14篇衬底
  • 13篇电极
  • 13篇栅结构
  • 13篇击穿电压
  • 12篇电荷
  • 12篇电容
  • 12篇电阻
  • 12篇沟道
  • 10篇电荷平衡
  • 10篇石墨
  • 10篇石墨烯
  • 10篇漂移
  • 10篇离子注入
  • 9篇缓冲层

机构

  • 180篇中国科学院
  • 27篇上海新傲科技...
  • 13篇温州大学
  • 10篇中国科学院大...
  • 6篇上海科技大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇东北微电子研...
  • 1篇中科院上海微...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇新思科技有限...

作者

  • 182篇程新红
  • 106篇俞跃辉
  • 65篇徐大伟
  • 52篇王中健
  • 49篇郑理
  • 41篇夏超
  • 30篇宋朝瑞
  • 29篇曹铎
  • 27篇沈玲燕
  • 24篇王谦
  • 21篇张栋梁
  • 20篇何大伟
  • 16篇李新昌
  • 15篇贾婷婷
  • 8篇张有为
  • 7篇李静杰
  • 5篇王曦
  • 5篇杨文伟
  • 4篇万里
  • 4篇万文艳

传媒

  • 11篇半导体技术
  • 5篇功能材料与器...
  • 3篇稀有金属材料...
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇微处理机
  • 2篇2011’全...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇核技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇微波学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇温州师范学院...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇温州大学学报...

年份

  • 4篇2024
  • 7篇2023
  • 8篇2022
  • 7篇2021
  • 15篇2020
  • 9篇2019
  • 11篇2018
  • 10篇2017
  • 9篇2016
  • 8篇2015
  • 8篇2014
  • 11篇2013
  • 24篇2012
  • 21篇2011
  • 13篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
共 182 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件
本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件，该器件包括SOI衬底和位于所述SOI衬底之上的有源区；所述有源区包括：栅区、分别位于所述栅区两侧的源区和漏区、位于所述栅区之下的体区、位于所述体区与所述漏区之间的漂移...
程新红何大伟王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
文献传递
基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法
本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质层，刻蚀该高k栅介质...
程新红徐大伟王中健夏超曹铎宋朝瑞俞跃辉
HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究被引量：1
2006年
利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。
蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳襄怀邹世昌
关键词：碳纳米管场发射碳化铪
一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法
本发明公开了一种基于图形化的SOIESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：底层衬底；位于所述底层衬底上的绝缘埋层；位于所述绝缘埋层上的有源区；以及穿过所述绝缘埋层连接所述有源区与底层衬底的导通栓；其中，所述有源...
程新红夏超王中健俞跃辉何大伟徐大伟
一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法
本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；自上述第一窗口向...
程新红夏超王中健曹铎郑理贾婷婷俞跃辉
文献传递
一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位...
黄晓橹魏星程新红陈静张苗王曦
文献传递
一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器
本发明涉及一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器，包括依次连接的原边全桥电路、谐振电路、变压器和副边全桥电路，所述谐振电路包括第一谐振电感、第二谐振电感和谐振电容；所述第一谐振电感的一端与所述原边全桥电路的第一输出端...
程新红周学通
一种MIS电容的制作方法
本发明提供一种MIS电容的制作方法，于SOI衬底中刻蚀出硅岛，采用HF去除硅岛表面的氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O<Sub>2</Sub>，NH<Sub>3</Sub>等离子...
程新红曹铎贾婷婷王中健徐大伟夏超宋朝瑞俞跃辉
文献传递
介质钝化对GaN HEMT性能的影响
本文将生长在铜片上的石墨烯转移到AlGaN/GaN 异质结表面,氟化绝缘后,利用水基ALD石墨烯上生长high k 方法1,制备了以Al2O3 作为栅介质的氟化石墨烯绝缘栅介质高电子迁移率晶体管(FG-MIS HEMT)...
沈玲燕程新红王中健张栋梁郑理曹铎王谦李静杰俞跃辉
关键词：ALGAN/GAN石墨烯钝化层电流崩塌
一种采样保持电路及电器
本发明公开了一种采样保持电路及电器，包括：第一电容、第一场效应管、第二电容；所述第一电容的一端分别与所述采样保持电路的输入端和所述第一场效应管的源极，所述第一电容的另一端接地；所述第一场效应管的漏极均与所述第二电容的一端...
程新红林联科徐大伟
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