耿习娇
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- MMIC用多层磁膜电感研究
- 2011年
- 采用磁控溅射生长磁膜工艺,结合BCB(苯并环丁烯)平坦化技术,首次制作了"金属线圈/磁膜/金属线圈(M/F/M)"和"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈(F/M/F/M)"两种结构的多层磁膜电感,整个工艺与标准MMIC工艺兼容。在2 GHz处,"金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为7.5 nH,品质因数为7.17,与相同结构同工艺同批次传统单层无磁膜电感相比分别提高了270%和47%;"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为9 nH,品质因数为5.86,与传统电感相比分别提高了350%和25%。结果表明多层磁膜电感在低频范围(<5GHz)较传统电感有巨大优势。
- 孔岑李辉周建军陈效建陈辰耿习娇
- 关键词：多层结构单片微波集成电路
- 自对准栅金刚石MESFET器件研究
- 2013年
- 基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/□和5.24×10-4Ω.cm2。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。
- 周建军柏松陈刚孔岑耿习娇陆海燕孔月婵陈堂胜
- 关键词：金刚石
- BST片上压控电容及其模型
- 在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制...
- 孔岑周建军李辉陆海燕耿习娇许晓军
- 关键词：压控电容钛酸锶钡薄膜高电子迁移率晶体管等效电路模型
- 文献传递
- 基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器
- 基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环...
- 陆海燕周建军孔月婵董逊孔岑耿习娇
- 关键词：环形振荡器电路设计
- 文献传递
- 高耐压Si基GaN功率电子器件
- 2013年
- 基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm,栅漏间距为15μm时,得到的GaN HEMT器件击穿电压530V,最大电流密度536mA/mm。器件的特征通态电阻为1.54mΩ·cm2,是相同击穿电压Si MOSFET器件特征通态电阻的二十五分之一。所制作的6mm栅宽器件击穿电压400V,输出电流2A。该器件的研制为制作低成本GaN HEMT功率器件奠定了基础。
- 管邦虎孔岑耿习娇陆海燕倪金玉周建军孔月婵冯军陈堂胜
- 关键词：功率电子器件击穿电压
- 含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN／GaNHEMT被引量：4
- 2011年
- 采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料表面平整光滑,晶体质量和电学性能良好,2DEG面密度为1.12×1013cm-2,迁移率为1 208cm2/(V.s)。由该材料研制的栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT器件,电流增益截止频率fT达到10.4GHz,这些结果表明组分阶变AlGaN过渡层技术可用于实现高性能Si基GaN HEMT。
- 倪金玉董逊周建军孔岑李忠辉李亮彭大青张东国陆海燕耿习娇
- 关键词：过渡层
