聂志强
- 作品数：17 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多量子阱半导体激光器
- 本实用新型提供了一种多量子阱半导体激光器，具有较高的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相...
- 张普刘兴胜熊玲玲王贞福刘晖聂志强
- 文献传递
- 一种传导冷却高功率半导体激光器
- 本实用新型提供了一种传导冷却高功率半导体激光器，包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块和T型绝缘导热块。激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块，其堆叠方向的两个外端面分别为激光芯片组的正、负极端；正、负极连接块相对的内侧面...
- 朱其文张普吴的海刘兴胜熊玲玲聂志强
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- 大功率半导体激光器阵列热串扰行为被引量：4
- 2013年
- 以硬焊料传导制冷,30%填充因子半导体激光器阵列为例,建立了三维有限元模型,对阵列内部各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明,当其连续波工作时间大于1.2 ms后,阵列内发光单元之间出现热串扰现象;当次热沉由CuW合金改为铜金刚石复合材料时,阵列内发光单元自热阻和相邻发光单元的串扰热阻降低,有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单元周期不变,发现随阵列填充因子的增加,器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低,而发光单元间的热串扰特性对此变化并不敏感;保持阵列单个发光单元输出功率,发光单元尺寸及阵列宽度不变,增加发光单元个数后,阵列内各发光单元之间热串扰加剧,填充因子越高阵列升温速率越快;但在最初约70μs内,包含不同数目发光单元的阵列最高温度差异仅约0.5℃,有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。
- 张志勇张普聂志强李小宁熊玲玲刘晖王贞福刘兴胜
- 关键词：激光器有限单元法半导体激光器阵列热阻
- 一种传导冷却高功率半导体激光器
- 本发明提供了一种传导冷却高功率半导体激光器，包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块和T型绝缘导热块。激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块，其堆叠方向的两个外端面分别为激光芯片组的正、负极端；正、负极连接块相对的内侧面分别...
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- 适用于大发散角宽尺寸光源的准直元件
- 本发明提供一种特别适用于大发散角宽尺寸光源的准直光学元件的设计结构，能够避免将宽尺寸光源近似为点光源导致准直透镜的误差。针对二维光源光场E(y,z)，设光轴为z轴，传输平面y-z；光场传输过程中，在光轴上任意位置z处对光...
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- 传导冷却单巴高功率半导体激光器热应力和smile研究被引量：4
- 2017年
- 利用有限元模型分别研究了回流过程和工作过程中传导冷却高功率半导体激光器的正应力、切应力和形变,并借助理论公式分析了热应力和smile的产生原因和分布规律.分析表明,在回流过程中热膨胀系数不匹配造成的切应力是正应力和变形的根源,而在工作过程中,热膨胀系数不匹配和温度梯度共同影响着热应力和变形.在此基础上,将回流导致的剩余应力和变形作为初始条件施加在有限元模型上,对工作状态器件的热应力和smile进行模拟,以获得更精确的模拟结果.最后,通过有限元模型和实验手段研究了不同热沉温度对smile的影响.结果表明,工作过程会导致器件的smile增大,热沉温度的升高也会造成smile进一步增大.
- 鲁瑶聂志强陈天奇张普熊玲玲吴的海李小宁王贞福刘兴胜
- 关键词：激光器高功率半导体激光器有限元方法热应力
- 基于韦布尔分布和对数正态分布的高功率半导体激光器寿命估计和失效分析研究被引量：6
- 2019年
- 分别采用韦布尔分布和对数分布模型对额定功率60 W(CW条件下)的808 nm铟焊料封装的传导冷却型单巴高功率半导体激光器在恒定电流条件下进行的三个不同温度的加速老化试验数据进行分析并估计了常温下的寿命。在韦布尔分布统计分析中计算了各温度下器件的特征寿命和统计平均寿命,发现早期失效情况下形状参数小于1且数学平均寿命的计算方法误差加大,不如使用统计平均的方法。在对数分布统计分析中计算了各温度下器件的中位寿命和统计平均寿命,发现早期失效下的对数标准差较大且影响统计平均寿命的计算,这种情况不适合用对数正态分布估计寿命。最后对不同时期的加速寿命器件进行了失效分析。
- 聂志强王明培孙玉博李小宁吴迪
- 关键词：高功率半导体激光器对数正态分布
- 多量子阱半导体激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层...
- 张普刘兴胜熊玲玲王贞福刘晖聂志强
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- 一种高功率半导体激光器系统
- 本实用新型提供了一种高功率半导体激光器系统，以提高半导体激光器的可靠性，从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统，包括半导体激光器芯片，半导体激光器芯片封装后连接正极和负极，所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/...
- 张普刘兴胜熊玲玲王贞福聂志强
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- 传导冷却高功率半导体激光器单巴器件CW工作模式下的热加速寿命试验被引量：6
- 2019年
- 可靠性是高功率半导体激光器(HLD)的一个重要性能。热加速寿命试验是HLD寿命评价和可靠性分析的重要技术。在本文中,我们在高温测试平台上对铟焊料封装的18个中心波长为808 nm的传导冷却型HLD单巴器件在恒定电流60 A条件下进行55,65,80℃3组热沉温度下的热加速寿命试验。根据器件输出功率在加速寿命测试期间的降低趋势,得到该批HLD器件的寿命分别为1 022,620,298 h,再根据Arrhenius公式得到该器件的激活能为0.565 41 eV,从而外推得到器件在室温下的寿命为5 762 h。可见55℃下器件寿命加速了5倍,而在65℃下寿命加速了8.5倍,80℃下寿命加速17倍。此外,我们还分析了器件热加速寿命试验后的性能。
- 聂志强王明培孙玉博李小宁吴迪
- 关键词：高功率半导体激光器可靠性
