聂萌
- 作品数：121 被引量：64H指数：6
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- 一种微机电系统电容式压力传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种微机电系统电容式压力传感器，该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底、第一多晶硅层和第二多晶硅层；第一多晶硅层包括第一多晶硅外层和第一多晶硅内层；第一多晶硅外层位于第一多晶硅内层的外侧，且第一多晶硅外层和...
- 聂萌包宏权黄庆安
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- 一种高灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法
- 本发明公开一种高灵敏度压阻式压力传感器，包括硅衬底层、二氧化硅层和单晶硅层；硅衬底层设有第一空腔；二氧化硅层设有单晶硅支撑层和第二空腔；单晶硅层包括可动敏感薄膜、两根连接杆、四个单边紧固薄膜、锚区、压阻条、重掺杂区和金属...
- 聂萌包宏权黄庆安
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- 一种具有高灵敏度的柔性压阻式压力传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种具有高灵敏度的柔性压阻式压力传感器，该压力传感器包括柔性衬底、金属电极、网格状的石墨烯薄膜层；金属电极固定连接在柔性衬底顶面的两端，石墨烯薄膜层覆盖并连接在柔性衬底和部分金属电极上。该压力传感器不仅具有衬...
- 聂萌章丹黄庆安
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- 与CMOS兼容的MEMS气压传感器工艺实现与性能分析被引量：1
- 2012年
- 采用CMOS标准工艺,同时采用三种典型MEMS后处理关键工艺,重点通过对牺牲层释放工艺进行研究,制作实现了一种新型CMOS兼容的电容式气压传感器.在该传感器结构中,作为牺牲层的是在CMOS工艺中形成的掺硼氧化硅.通过释放使电容上电极悬空从而感应气压变化.释放过程采用氢氟酸HF、氟化铵、甘油和水的混合溶液.由于释放孔大小和释放孔间距的设计十分关键,通过实验验证优化了4μm×4μm的释放孔更适用于此传感器结构,并对此结构进行了性能分析与实验测试.结果表明,该气压传感器结构合理,工艺成功,重点解决了MEMS后处理中的牺牲层释放工艺与CMOS标准工艺的兼容问题,为利用CMOS标准工艺进行MEMS传感器的研制做出了有益的尝试.
- 王艳春黄庆安聂萌余辉洋
- 一种具有高线性度的电容式压力传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种具有高线性度的电容式压力传感器，该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底层、二氧化硅层和多晶硅层；硅衬底层中设有第一空腔和四个下电极；二氧化硅层中设有多晶硅支撑层和第二空腔，第二空腔与第一空腔连通；多晶硅...
- 聂萌包宏权黄庆安
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- MEMS薄膜泊松比在线提取方法研究被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新的泊松比在线测量方法,在用两端固支梁静电吸合模型提取薄膜等效弹性模量的基础上,根据薄膜的等效弹性模量、杨氏模量、泊松比之间的关系提取薄膜的泊松比.在确定的工艺条件下,选择多组尺寸的测试结构用Coventor Ware软件计算吸合电压值,分析不同梁长对提取等效弹性模量精度的影响,表明选择合适的梁长可得到具有较高精度的泊松比.
- 聂萌黄庆安李伟华
- 关键词：等效弹性模量
- 压力-应变双模态信号同时检测的柔性传感器及制备方法
- 本发明公开了一种压力‑应变双模态信号同时检测的柔性传感器及制备方法，传感器包括下封装保护层、下电极板、第一金属引线层、多孔电介质层、第二金属引线层、上电极板，以及上封装保护层。下电极板和上电极板的材料为低维纳米材料，制备...
- 聂萌问磊
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- 一种高精度原位力学测试芯片及其制备方法
- 本发明公开了一种高精度原位力学测试芯片及制备方法，高精度原位力学测试芯片包括位于同一平面内的热执行器、样品台、以及悬梁杠杆；样品台、悬梁杠杆均设置在热执行器上；样品台由为环岛结构与第二样品台构成，且环岛结构上设置有测距梳...
- 聂萌黄语恒尹奎波
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- 一种微电子机械系统的电容式气压传感器
- 本实用新型公开了一种微电子机械系统的电容式气压传感器，包括衬底、键合层、电容下极板、电容上极板、绝缘层、加热电阻条、上电极电引出、下电极电引出和两个加热电阻条电引出，衬底的底面设有真空腔，电容下极板固定连接在键合层的上表...
- 聂萌黄庆安
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- 基于力学描述的MEMS器件行为模拟方法
- 2006年
- 将MEMS悬臂梁在静电驱动下的受力过程映射为悬臂梁自由端(即其纵向最大位移点)的力学描述,从而实现对悬臂梁的直流稳态分析。其基本原理是基于结构的受力分析,以位移为共同变量,引入反馈机制描述耦合过程。首先引入一个合适的挠度形函数,它包含一个表示悬臂梁自由端位移值的参变量,而后以此形函数为基础利用能量原理,推导出悬臂梁自由端所受到的静电吸引力和弹性回复力的解析表达式,运用MATLAB编程的方法计算出悬臂梁在直流电压驱动下的稳态工作点。分析结果与CoventorWare软件模拟结果相比较,证明了该方法的有效性。
- 张健李伟华聂萌
