胡云志
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的行为
- 磁畴和磁畴壁物理的研究，一直是磁学领域的重要内容。而石榴石磁泡薄膜中硬磁畴行为的研究，无论是对超高密度布洛赫线存储器的研制，还是对磁畴壁物理的发展都具有非常重要的意义。
面内场和温度都是影响硬磁畴畴壁中垂直布洛...
- 胡云志
- 关键词：硬磁畴石榴石哑铃畴
- 温度对第一类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响
- 本文详细测量了ID在条泡转变标准场H<,sb>′和硬泡标准场H<,0>′处畴长随温度的变化关系,证明了VBL间的平衡间距随温度的升高而增大.
- 申俊杰胡云志张丽娇孙会元聂向富
- 关键词：温度垂直布洛赫线
- 文献传递
- 直流偏场和面内场联合作用下第一类哑铃畴的自发收缩
- 本实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象.实验发现哑铃畴ID自发收缩与其在面内场中所处的方向无关,含Lu样品大的阻尼系数使得短的哑铃...
- 张丽娇胡云志申俊杰孙会元聂向富王静
- 关键词：哑铃畴直流偏场
- 文献传递
- 面内场对三类硬磁畴的影响被引量：4
- 2009年
- 采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失时的最小临界面内场.实验结果还揭示了面内场作用下VBL链的解体与硬磁畴的硬度无关,为解释面内场作用下VBL的消失机制提供了重要线索.此外,还为准确测量VBL的临界面内场提供了一种新方案.
- 胡云志孙会元
- 关键词：硬磁畴垂直布洛赫线
- 对石榴石磁泡薄膜中硬磁畴特性的研究
- 该文从低直流偏场法出发,实验研究了石榴石磁泡薄膜样品中的硬磁畴的动态特性和温度特性以及产生正、负垂直布洛赫线(VBL)的条件.在实验的基础上,我们测量并统计了零偏场时不同温度下产生的分形畴的缩灭场的分布范围以及四类磁畴所...
- 胡云志
- 关键词：硬磁畴垂直布洛赫线
- 文献传递
- 转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失
- 本文实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律,得到了转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H<,ip><'0>,H<,ip><'2>].这个临界面内场...
- 胡海宁张丽娇胡云志孙会元聂向富
- 关键词：垂直布洛赫线
- 文献传递
- 脉冲偏场对石榴石磁泡膜中形成正、负VBL的影响
- 本文通过研究枝状畴形成的硬磁畴的转动行为,综合分析了脉冲偏场对形成正、负VBL链的影响,认为脉冲偏场的下降沿对应负VBL的形成,上升沿对应正VBL的形成.
- 胡云志孙会元刘升张丽娇申俊杰王磊
- 关键词：垂直布洛赫线
- 文献传递
- 脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成被引量：6
- 2008年
- 实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用.
- 胡云志孙会元
- 关键词：磁畴垂直布洛赫线
- 温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响
- 2009年
- 实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.
- 李海涛尹世忠顾建军胡云志赵淑梅孙会元
- 关键词：磁畴垂直布洛赫线
