胡小燕
- 作品数：13 被引量：49H指数：4
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- 一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法
- 本发明公开了一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法，该方法使用湿法腐蚀牺牲层材料，利用腐蚀液横向钻蚀效应，反应迅速，无须在像元中心开许多小孔以帮助去除牺牲层材料，故工艺方法简单，且能够有效缓解由于应力所造成的去掉牺牲层后像...
- 胡小燕孙浩梁宗久朱西安
- 文献传递
- 长波640×512元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器的研制被引量：3
- 2010年
- 量子阱红外探测器由于具有更高的材料均匀性和成品率,是红外探测技术研究的重点方向之一。本文通过突破材料外延、器件制备工艺、读出电路设计以及倒装互连等关键工艺技术,研制了长波640×512元GaAs/A lGaAs量子阱红外焦平面探测器。77 K下,器件的平均黑体响应率Rv为1.4×107V/W,峰值探测率Dλ*为6.2×109cm Hz1/2W-1,器件的盲元率达到了0.87%,响应率不均匀性5.8%,并在77 K下对探测器进行成像演示。
- 胡小燕周立庆于艳杜鹏谭振王南孙海燕
- 关键词：焦平面长波
- HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
- 文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 × 256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm.
- 朱西安孙浩王成刚胡小燕刘明
- 关键词：干法刻蚀液相外延
- 文献传递
- 一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法
- 本发明公开了一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法，该方法使用湿法腐蚀牺牲层材料，利用腐蚀液横向钻蚀效应，反应迅速，无须在像元中心开许多小孔以帮助去除牺牲层材料，故工艺方法简单，且能够有效缓解由于应力所造成的去掉牺牲层后像...
- 胡小燕孙浩梁宗久朱西安
- 文献传递
- 量子阱红外探测器衬底完全去除技术研究
- 2014年
- 背面减薄技术对于提高量子阱红外焦平面探测器的性能有着重要的意义,通过衬底减薄能够缓解探测器芯片与读出电路的热膨胀失配,提高互连混成芯片可靠性,同时能够有效降低串扰。本文结合机械研磨、化学机械抛光和选择性湿法腐蚀技术,实现了量子阱探测器互连混成芯片的衬底完全去除。
- 孙海燕刘海龙胡小燕谢珩
- 关键词：GAAS量子阱红外探测器
- 碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究被引量：6
- 2008年
- 介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。
- 李震胡小燕史春伟朱西安
- 关键词：ICP接触孔干法刻蚀碲镉汞
- 双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制被引量：3
- 2007年
- 采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺,二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77 K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=(1.61～1.90)×1010 cmHz1/2W-1和(1.54～2.67)×1010 cmHz1/2W-1。中、长波段峰值波长分别为(2.7～3.8)μm和8.3μm。
- 种明马文全苏艳梅张艳冰胡小燕陈良惠
- 关键词：红外探测器
- 128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器被引量：3
- 2012年
- 量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱和三端电极引出的器件结构研制出128×128中/长波双色量子阱红外探测器阵列。该结构实现了同像元同时引出双色信号。器件像元中心距为40μm,像元有效面积为36μm×36μm。探测器芯片与读出电路互连并完成微杜瓦封装。在65 K条件下测试,峰值波长为:中波5.37μm,长波8.63μm,器件的平均峰值探测率为:中波4.75×109cmHz1/2W-1,长波3.27×109cmHz1/2W-1。并进行了双波段的红外演示成像。
- 苏艳梅种明曾一平胡小燕于艳孙捷张晓燕
- 关键词：红外探测器
- 160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制被引量：7
- 2007年
- 报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010 cmW-1Hz1/2,峰值波长为λp=8.1μm,截止波长为λc=8.47μm。器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%。
- 种明苏艳梅张艳冰胡小燕马文全孙永伟陈良惠
- 关键词：长波红外探测器焦平面阵列
- 128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列被引量：13
- 2005年
- 研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28×1010cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率为1.22%.
- 苏艳梅种明张艳冰胡小燕孙永伟赵伟陈良惠
- 关键词：红外探测器焦平面阵列
