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文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇电极
  • 1篇电压
  • 1篇电阻
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇非易失性
  • 1篇衬底
  • 1篇存储器

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇孙继荣
  • 1篇赵同云
  • 1篇董春颖
  • 1篇沈保根
  • 1篇尚大山

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种非易失性阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种非易失性阻变存储单元及其制作方法。该非易失性阻变存储单元包括:绝缘衬底,在该绝缘衬底上的底电极,在该底电极上的存储介质层,以及在该存储介质层上的顶电极,其中所述存储介质层为Ag<Sub>x</Sub>O薄...
尚大山董春颖孙继荣沈保根赵同云
文献传递
共1页<1>
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