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ITO薄膜性能优化及其在异质结电池上的应用: 由于太阳能电池设计需选择最佳沉积参数和合理的工艺方式,因此ITO薄膜的光电性能需具有优异的匹配性和可靠的数值是必要的.因此采用直流磁控溅射方法,在玻璃基底上制备了优质ITO薄膜.研究了氧氩流量比,溅射功率和溅射压强三个工...; 王九秀谷锦华王淑慧冯亚阳薛源; 关键词：氧化铟锡薄膜光电特性异质结太阳能电池; 文献传递

硅片表面处理对异质结太阳电池的影响: 本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了ITO/μc-Si:H(p)/c-Si(n)/Al异质结太阳电池,研究了氢等离子体处理时间和本征硅钝化对电池性能的影响.结果表明:(1)随着H等离子体处理时间的增加...; 王淑慧谷锦华王九秀冯亚阳薛源; 关键词：异质结太阳电池表面处理产品质量; 文献传递

薄膜硅／晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究被引量：2: 2013年; 本文采用甚高频等离子体化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结电池中的本征硅薄膜钝化层,光发射谱(OES)测量技术研究了硅薄膜沉积过程中等离子体发光谱随时间的变化.结果表明:在实验优化条件下等离子体发光谱很快达到稳定(大约25 s),并且SiH*/Hα*的比值随时间变化较小,避免了生长过程中硅薄膜结构的不均匀性,这主要是SiH4没有完全耗尽避免了SiH4的反向扩散.进一步研究了沉积参数对稳态发光谱和硅薄膜性质的影响,结果表明:随着硅烷浓度增加,Hα*峰强度减小,SiH*峰强度增加,薄膜从微晶转变成非晶,非晶硅薄膜钝化效果好;随着沉积气压增大,Hα*和SiH*峰强度先增加后减小,高气压下Hα*和SiH*峰强度下降主要是反应前驱物的聚合形成高聚合物,不利于形成高质量的硅薄膜,因此钝化效果下降;随着反应功率密度增加,Hα*和SiH*峰强度增大,当功率密度为150 mW/cm2趋于饱和,硅薄膜的致密度和钝化效果也开始下降,50 mW/cm2的低功率密度下硅薄膜钝化效果差可能是由于原子H浓度低,不能完全钝化单晶硅表面的悬挂键.; 薛源郜超军谷锦华冯亚阳杨仕娥卢景霄黄强冯志强; 关键词：异质结

椭圆偏振光谱表征单晶硅衬底上生长的非晶硅和外延硅薄膜: 2012年; 本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术在单晶硅衬底上沉积了两个系列的硅薄膜.通过对样品进行固定角度椭圆偏振测试,结果表明第一个系列硅薄膜为非晶硅,形成了突变的a-Si:H/c-Si异质结构,此结构在HIT电池中有利于形成好的界面特性,对于非晶硅薄膜采用通常的Tauc-Lorentz摇摆模型(Genosc)拟合结果很好;第二个系列硅薄膜为外延硅,对于外延硅薄膜,随着膜厚增加晶化率降低,当外延硅薄膜厚度为46 nm时开始非晶硅生长.对于外延硅通常采用EMA模型(即将硅薄膜体层看成由非晶硅和c-Si构成的混合层)拟合结果较好,当硅薄膜中出现非晶硅生长时,将体层分成混合层和非晶硅两层,采用三层模型拟合结果很好.本文证实了椭偏光谱分析采用不同的模型可对单晶硅衬底上不同结构的硅薄膜进行有效表征.; 吴晨阳谷锦华冯亚阳薛源卢景霄; 关键词：异质结椭圆偏振光谱

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薛源