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贺中亮

作品数:22 被引量:37H指数:5
供职机构:陕西科技大学化学与化工学院教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技支撑计划陕西科技大学研究生创新基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 15篇一般工业技术
  • 13篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇自组装
  • 8篇单层膜
  • 8篇自组装单层
  • 8篇自组装单层膜
  • 8篇自组装制备
  • 7篇HFO2
  • 5篇钛酸
  • 5篇HFO
  • 4篇图案化
  • 4篇钛酸锶
  • 3篇液相
  • 3篇OTS
  • 2篇液相沉积
  • 2篇铁酸铋
  • 2篇晶态薄膜
  • 2篇BIFEO
  • 2篇HFO2薄膜
  • 1篇有机硅
  • 1篇有机硅烷
  • 1篇生物陶瓷

机构

  • 22篇陕西科技大学
  • 3篇河南大学
  • 1篇唐山学院

作者

  • 22篇贺中亮
  • 19篇谈国强
  • 16篇苗鸿雁
  • 15篇刘剑
  • 12篇夏傲
  • 6篇博海洋
  • 3篇娄晶晶
  • 2篇梁东
  • 1篇郑玉芹
  • 1篇宋夜
  • 1篇任慧君
  • 1篇宋亚玉
  • 1篇陈长

传媒

  • 4篇陶瓷
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇无机化学学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇功能材料
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2010
  • 17篇2009
  • 3篇2008
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钛酸锶功能陶瓷薄膜的液相自组装制备及表征
以(NH)Ti F,Sr(NO)和HBO为主要原料,采用自组装单层膜技术,在玻璃基板上成功制备了钛酸锶晶态薄膜。利用接触角仪对OTS和紫外照射处理后的基片润湿角进行表征,利用X射线衍射(XRD),扫
刘剑苗鸿雁谈国强贺中亮
文献传递
二氧化铪晶态薄膜的自组装制备被引量:1
2009年
利用自组装单层膜技术,在玻璃基板上生长有机硅烷单分子膜层,以Hf(SO4)2.4H2O和HCl配制HfO2前驱液,通过液相沉积在硅烷的功能性官能团上诱导生成二氧化铪薄膜。通过接触角测试仪、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了研究分析。结果表明,利用自组装单层法成功制备出立方型的HfO2晶态薄膜,薄膜表面均一。
贺中亮谈国强苗鸿雁刘剑
关键词:自组装单层膜HFO2
二氧化铪(HfO_2)晶态薄膜的液相自组装制备与表征
2009年
以硫酸铪和盐酸为原料,采用液相自组装技术,以十八烷基三氯硅烷(OTS)为模板制备了二氧化铪晶态薄膜。通过表面接触角测试仪观察有机层表面接触角变化,探讨了前驱液pH值,薄膜沉积温度和煅烧温度对HfO2薄膜的影响。通过XRD、SEM等测试手段对HfO2薄膜的物相组成、显微结构和表面形貌进行了表征,结果表明:利用自组装技术在500℃热处理后成功制备出了立方相HfO2晶态薄膜,当沉积温度为70~80℃,HCl浓度为0.3mol/L时,HfO2薄膜表面均匀致密,生长良好。
谈国强贺中亮苗鸿雁刘剑夏傲
关键词:HFO2
Si_3N_4粒度对逆反应烧结制备Si_3N_4/SiC复合材料性能的影响
2009年
研究了不同粒度的Si3N4粉体对制备的逆反应烧结Si3N4-SiC复合材料性能的影响。结果表明:同一升温制度下,Si3N4粒度从0.074 mm减小到0.045 mm,Si3N4-SiC复合材料体积密度增大,显气孔率变低,抗折强度降低。随着Si3N4粒度减小,材料中的Si3N4含量降低;中温保温从900℃升到1200℃,Si3N4含量升高;高温保温温度从1350℃到1500℃,材料内部氧化程度增高,Si3N4含量降低,SiO2含量升高;Si3N4-SiC复合材料玻璃相增多,玻璃相中有SiO2晶体析出,使得孔隙被生成的玻璃相和发育的SiO2晶粒填充,材料的气孔减少。
谈国强苗鸿雁贺中亮刘剑陈长任慧君
关键词:粒度SI3N4/SIC
二氧化铪(HfO2)功能陶瓷薄膜的自组装制备被引量:2
2009年
利用自组装单层膜技术,在玻璃基板上生长十八烷基三氯硅烷(OTS)单分子膜层,以Hf(SO4)2.4H2O和HCl配制HfO2前驱液,通过液相沉积在硅烷的功能性官能团上诱导生成二氧化铪薄膜。研究了紫外光照射对OTS单分子层的影响,通过接触角测试仪、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了研究分析。结果表明,利用自组装单层法成功制备出HfO2晶态薄膜,呈立方型的HfO2,无其它杂相,薄膜表面均一。
贺中亮苗鸿雁谈国强刘剑夏傲娄晶晶
关键词:自组装单层膜HFO2
二氧化铪(HfO2)薄膜的自组装制备
以Hf(SO4)2·4H2O和HCl配制HfO2前驱液,利用自组装单层膜技术,在OTS自组装单层膜的功能性基团表面制备品态二氧化铪薄膜。研究了HfO2前驱液的浓度,退火温度和有机硅烷单分子层等对HfO2薄膜制备...
贺中亮谈国强苗鸿雁刘剑夏傲梁东
关键词:表面形貌微观结构
二氧化铪(HfO_2)薄膜制备的研究进展被引量:2
2009年
随着集成电路的迅速发展,高K值柵介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料,HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注。本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展。
谈国强贺中亮刘剑博海洋宋亚玉娄晶晶李锋娟
关键词:HFO2
钛酸锶功能陶瓷薄膜的液相自组装制备及表征被引量:2
2009年
以(NH4)2TiF6,Sr(NO3)2和H3BO3为主要原料,采用自组装单层膜技术,在玻璃基板上成功制备了钛酸锶晶态薄膜。利用接触角仪对OTS和紫外照射处理后的基片润湿角进行表征,利用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段表征了薄膜的物相和微观结构。结果表明:紫外光对自组装单层膜具有很强的修饰作用,紫外照射后附着有OTS-SAM的基片有很强的亲水性。钛酸锶薄膜结晶良好,纯度很高,薄膜表面颗粒均匀分布,呈岛状生长,晶粒尺寸大约在100~500 nm之间。对钛酸锶薄膜的形成机理进行了探讨。
刘剑苗鸿雁谈国强贺中亮夏傲
关键词:自组装单层膜钛酸锶
OTS自组装单层膜诱导定向生长SrTiO_3功能陶瓷薄膜被引量:9
2009年
采用自组装单层膜技术,以三氯十八烷基硅烷(octadecyl-trichloro-silane,OTS)为模版,在玻璃基片上成功制备了钛酸锶晶态薄膜。改性基板的亲水性测定与金相显微镜测试表明,紫外光照射使基板由疏水转变为亲水,OTS单分子膜对薄膜的沉积具有诱导作用;X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)表征显示,制备成功的钛酸锶薄膜结晶良好,样品表面均匀,在垂直基板表面方向上呈花状生长;EDS能谱测试为钛酸锶薄膜的化学组成提供了有力的证据;同时探讨了自组装单层膜和钛酸锶薄膜的形成机理。
刘剑谈国强苗鸿雁贺中亮夏傲
关键词:自组装单层膜钛酸锶
二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜的自组装制备
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的缩小,栅介质等效氧化物层厚度已缩小至纳米量级,这时电子的直接隧穿效应加剧,严重影响器件的稳定性和可靠性,因此需要寻找新型高k栅介质材料来替代传统的SiO2栅极材料。铪(Hf)系氧化...
贺中亮
关键词:HFO2薄膜液相沉积图案化
文献传递
共3页<123>
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