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赵桂娟

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 10篇发光
  • 8篇氮化镓
  • 8篇非极性
  • 7篇衬底
  • 6篇氮化
  • 6篇氮化镓基发光...
  • 6篇多量子阱
  • 6篇二极管
  • 6篇发光二极管
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇蓝宝石衬底
  • 4篇缓冲层
  • 4篇基板
  • 4篇镓
  • 3篇气相外延
  • 3篇阻挡层
  • 3篇纳米
  • 3篇晶体
  • 3篇化物

机构

  • 28篇中国科学院

作者

  • 28篇王占国
  • 28篇杨少延
  • 28篇赵桂娟
  • 24篇魏鸿源
  • 19篇汪连山
  • 16篇刘祥林
  • 12篇焦春美
  • 12篇李辉杰
  • 7篇王建霞
  • 7篇朱勤生
  • 6篇桑玲
  • 6篇冯玉霞
  • 5篇刘长波
  • 5篇张恒
  • 4篇李志伟
  • 3篇李成明
  • 3篇刘贵鹏
  • 2篇项若飞
  • 2篇韩东岳
  • 2篇谭晓宇

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层...
杨少延张恒魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法
一种制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法，包括：取一衬底；在衬底上生长一层氧化锌结晶层做为牺牲层；在氧化锌结晶层上低温生长一层半导体支撑层；在半导体支撑层的表面生长半导体单晶外延层，在生长过程中，使氧化锌结晶...
张恒魏鸿源杨少延赵桂娟金东东王建霞李辉杰刘祥林王占国
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AlN单晶衬底生产设备及其使用方法
一种AlN单晶衬底生产设备及其使用方法，其主体是一耐高温坩埚，坩埚分为两个部分：晶体生长室和原料室。晶体生长室侧壁有一氨气或氮气或二者混合气体的气管，与之相对位置有一气体出口；衬底固定于反应室的顶部；原料室底部有一载气气...
李辉杰杨少延魏鸿源赵桂娟汪连山李成明刘祥林王占国
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利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组...
杨少延冯玉霞魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
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利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组...
杨少延冯玉霞魏鸿源焦春美赵桂娟汪连山刘祥林王占国
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AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法
本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N沟道层、Al<Sub>y</Sub>In<S...
汪连山吉泽生赵桂娟孟钰淋李方政杨少延王占国
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一种AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法
本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N层、Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑y...
汪连山李方政赵桂娟孟钰琳杨少延魏鸿源王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半...
项若飞汪连山赵桂娟金东东王建霞李辉杰张恒冯玉霞焦春美魏鸿源杨少延王占国
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制备非极性A面GaN薄膜的方法
本发明提供了一种制备非极性GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底表面制备A面ZnO缓冲薄膜；在制备的A面ZnO缓冲薄膜上制备非极性GaN薄膜。本发明中，ZnO缓冲层能够协调GaN和衬底之间的晶格失配和热失配，从而极大的提高...
刘建明桑玲赵桂娟刘长波王建霞魏鸿源焦春美刘祥林杨少延王占国
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一种HEMT外延结构及制备方法
本发明公开了一种HEMT外延结构，其结构是：衬底(10)、低温GaN缓冲层(20)、未掺杂GaN高阻层(30)、AlN隔离层(40)、未掺杂GaN沟道层(50)、Al组分阶梯变化的势垒层(60)、AlN势垒层(70)。将...
吉泽生汪连山赵桂娟孟钰淋李辉杰谭晓宇韩东岳杨少延王占国
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