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邹慰亲

作品数：5 被引量：7H指数：1
供职机构：广东职业技术师范学院电子信息工程系更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇复合材料
  • 4篇复合材
  • 2篇Γ辐射
  • 1篇导电
  • 1篇电参数
  • 1篇电容率
  • 1篇电阻
  • 1篇运算放大器
  • 1篇试制
  • 1篇隧道效应
  • 1篇体电阻
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电复合材料
  • 1篇退火
  • 1篇热释电
  • 1篇热释电系数
  • 1篇物性
  • 1篇物性参数
  • 1篇量子
  • 1篇量子隧道效应

机构

  • 3篇广东民族学院
  • 2篇广东职业技术...
  • 2篇湖北师范学院

作者

  • 5篇邹慰亲
  • 1篇杨绍文
  • 1篇黄学雄
  • 1篇陈愿

传媒

  • 3篇广东民族学院...
  • 2篇广东职业技术...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
新型铁电复合材料ATGS—PVDF受γ辐射效应的研究
2001年
本文研究了新型铁电复合材料ＡＴＧＳ－ＰＶＤＦ受γ辐射效应。实验发现当吸收一定累积辐射剂量后,复合材料的体电阻ρ、电容率ε、纯热释电系数Ｐ和热电驰豫时间τ都将发生变化。还发现对于此复合材料存在两个累积辐射剂量的数值界限Ｒ１和Ｒ２。当累积辐射剂量小于或接近Ｒ１时,复合材料的ρ、ε、Ｐ和τ的变化趋势与自然老化规律基本相同;当累积辐射剂量达到或超过Ｒ２后,复合材料将产生永久损伤。本文从理论上分析了γ辐射的电离效应在复合材料中产生的正负电离电荷和局域辐射势阱是复合材料产生上述辐射效应的主要原因。
邹慰亲杨绍文
关键词：Γ辐射铁电复合材料体电阻电容率
集成运算放大器受辐射效应的研究
1996年
研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应．发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Ｖｉｏ、Ｉｉｏ、ＩＢ＋、ＩＢ－等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理，这些电参数可以基本恢复．斩波式自动稳零型ＣＭＯＳ集成运算放大器抗γ辐射能力较强．集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤．
邹慰亲陈愿徐扬子黄学雄
关键词：集成运算放大器Γ辐射退火电参数
复合材料导电开关特性的研究被引量：7
1997年
研究了掺Al或Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚二氯乙烯（PVDF）基复合材料的导电开关特性，发现在某一电场阈值（对应开关电压阈值Vk）附近，复合材料的电导率随外电场的变化而发生大幅度变化，还研究了掺入金属微粉的种类、体积比及颗粒度对Vk的影响，验证了量子隧道效应是复合材料导电开关特性的主要机理。
邹慰亲王春凤邹欣平黄学雄
关键词：复合材料量子隧道效应
精细T/P复合材料的试制与应用研究
1999年
本文介绍了精细T／P热释电复合材料的研制，物性参数的测量和应用上必须注意的问题。并介绍了精细T／P热释电复合材料薄膜制成的红外线传感器。
邹慰亲黄学雄
关键词：物性参数热释电系数
导电开关型复合材料受γ辐射效应的研究
1998年
本文研究了掺A1或掺Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚偏氟乙烯（PVDF）基导电开关型复合材料的受γ辐射效应。发现吸收一定剂量的γ辐射后，材料的开关电压阈值Vk降低。并发现导电开关型复合材料存在三个累积辐射剂量界限：γ0、γ1和γ2。当累积辐射剂量小于γ0，复合材料Vk数值的变化与自然老化相似；当累积辐射剂量大于γ0但小于γ1，材料的开关性能变差，但停止辐射后经历一段时间后可以自行基本恢复；当累积辐射剂量大于γ1但小于γ2，材料的导电开关性能消失；当累积辐射剂量大于γ2后，材料将永久损伤。本文从理论上分析并验证了γ辐射的电离效应和量子隧道效应的叠加作用是产生复合材料上述受辐射效应的主要原因。
邹慰亲夏威黄学雄
关键词：复合材料
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