郑华均
- 作品数:135 被引量:330H指数:11
- 供职机构:浙江工业大学化学工程学院更多>>
- 发文基金:浙江省自然科学基金国家自然科学基金浙江省科技攻关计划更多>>
- 相关领域:理学化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 界面组装控制的碳纳米管/有序介孔氧化硅核壳纳米线被引量:2
- 2008年
- 以碳纳米管与水溶液界面的阳离子表面活性剂十八烷基三甲基溴化铵(ODTMA)超分子自组装结构为模板,在水溶液体系成功地合成了以碳纳米管为核,以介孔硅基材料为壳的碳纳米管/有序介孔氧化硅核壳纳米线.用透射电子显微镜、X射线衍射以及低温N2吸/脱附对样品进行了表征.结果表明,核壳纳米线具有规整的p6mm有序孔道结构、高比表面和集中的孔径分布.碳纳米管/有序介孔氧化硅核壳纳米线的形貌可通过溶液的pH进行控制.此外,碳纳米管/有序介孔氧化硅核壳纳米线在水和乙醇等极性溶剂中具有良好的分散性能,有望应用于生物传感器、纳米探针以及储能等领域。
- 张磊乔世璋阎子峰阎子峰郑华均丁荣刚逯高清
- 关键词:碳纳米管有序介孔氧化硅
- 金属阳离子掺杂多硫化钴/氢氧化钴复合材料及其制备方法与应用
- 本发明提供了一种金属阳离子掺杂多硫化钴/氢氧化钴复合材料及其制备方法;本发明采用溶剂热法,首先将金属阳离子掺杂到原位生长在泡沫镍上的钴前驱体中,该前驱体为具有分级多孔结构的二维纳米片阵列;之后通过液相硫化法制备得到自支撑...
- 郑华均杨鹏举郑灵霞叶伟青
- 文献传递
- 16MnR在饱和硫化氢溶液中应力腐蚀机理的研究
- 该文研究了了16MnR材料在饱和硫化氢+0.1mol/L NaCl溶液等不同环境条件下应力腐蚀现象.通过采用测定16MnR材料在腐蚀溶液中的稳态极化曲线、动电位扫描极化曲线,采用恒变形应力腐蚀试验、控制不同电位下的应力腐...
- 郑华均
- 关键词:应力腐蚀
- 高价态金属离子掺杂富含氧空位的氧化钴纳米复合材料及其制备与应用
- 一种高价态金属离子掺杂富含氧空位的氧化钴纳米复合材料,制备方法为:将钴盐与金属M盐(M=Mo或W)的混合水溶液与尿素水溶液混合,得到前驱体溶液,加入经预处理的泡沫镍基底,于90~160℃反应1~12h,在泡沫镍基底上得到...
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- 文献传递
- FePt纳米材料的性能、制备及应用前景被引量:4
- 2008年
- fct结构的FePt纳米材料以其较高的矫顽力和单轴磁晶各向异性等优异性质而受到广泛的关注。本文首先介绍了FePt纳米材料的结构性质和退火导致的团聚现象,然后概述了近年来国内外FePt纳米材料的制备及应用进展,包括化学和物理方法制备的FePt纳米材料及其在磁记录、永磁体等多方面的潜在应用。
- 郑正德钟金环郑华均王醒东
- 关键词:磁性能
- 无钴富锂层状氧化物的结构调控和电化学性能研究
- 2025年
- 采用碳酸盐前驱体共沉淀-高温固相法制备无钴富锂层状氧化物正极材料,研究了组分调节对材料阳离子排布和电化学性能的影响。对材料进行不同尺度的形貌和结构表征以及电化学测试,研究结果表明:降低Li摩尔分数可以减小材料的一次颗粒粒径,在不影响材料富锂相摩尔分数的前提下减小了类Li_(2)MnO_(3)晶畴的尺寸,并且增大了材料的Li^(+)/Ni^(2+)混排程度;小尺寸的类Li_(2)MnO_(3)晶畴可以提高晶格氧氧化活性和材料的充电容量;Li^(+)/Ni^(2+)混排的增加可以提高晶格氧还原活性和材料的放电容量,并抑制循环过程中的电压衰减。
- 郑灵霞尚猷温晓辉郑华均邱报刘兆平
- 关键词:无钴
- 印刷线路板资源化研究进展被引量:5
- 2009年
- 介绍了目前国内外处理废弃印刷线路板的四种处理方法:火法回收、机械法回收、化学法回收和生物法回收,并比较了这四种方法的优缺点。考虑到环境友好的资源化处理方式,因此应综合考虑各种方法的优点,有效实现印刷线路板的资源化。
- 郑永勇顾正海郑华均
- 关键词:印刷线路板回收火法冶金湿法冶金
- 一种用于制备纳米材料的模板及其制备和应用
- 本发明涉及用于制备纳米材料的模板及利用这种模板制备纳米材料的方法,所述的模板以高纯铝为材料,制法为:将铝片进行退火处理及电化学抛光处理后,在酸性介质中通过阳极氧化处理,在其表面制备出具有多孔结构的铝氧化物层,多孔结构的铝...
- 郑华均王伟马淳安
- 文献传递
- 一种用于制备纳米材料的模板及其制备和应用
- 本发明涉及用于制备纳米材料的模板及利用这种模板制备纳米材料的方法,所述的模板以高纯铝为材料,制法为:将铝片进行退火处理及电化学抛光处理后,在酸性介质中通过阳极氧化处理,在其表面制备出具有多孔结构的铝氧化物层,多孔结构的铝...
- 郑华均王伟马淳安
- 文献传递
- 一种富含亚铜离子纳米线阵列结构催化剂及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种富含亚铜离子纳米线阵列结构催化剂及其制备方法与应用,本发明通过在泡沫铜基底上直接原位生长氢氧化铜纳米线阵列,然后通过煅烧制备氧化铜纳米线阵列结构为前驱体,最后通过电化学还原法直接制得高比表面积的富含Cu<...
- 郑灵霞潘曜灵包振宇郑华均徐颖华