郝瑞亭
- 作品数：102 被引量：74H指数：5
- 供职机构：云南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 化学水浴法制备CdS薄膜的研究被引量：1
- 2016年
- 采用化学水浴法在不同衬底上制备了CdS薄膜.测试表明,所制备薄膜具有良好的致密性且晶粒大小均匀、表面平整;随着薄膜厚度的增加,薄膜的结晶质量提高但透过率有所下降;在钠钙玻璃上制备的CdS薄膜的电阻率最小(42.15Ω·cm).将最优工艺制备的CdS薄膜应用于CZTS吸收层上,得到了效率为3.0%且具有高开路电压(701 mV)的CZTS薄膜太阳电池.
- 李志山蒋志杨敏刘思佳唐语郝瑞亭王书荣
- 关键词：CDS薄膜透过率
- 合金靶与硫化物靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法
- 本发明公开了一种制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，包括以下步骤：将衬底依次用去污粉、丙酮、酒精、去离子水超声清洗、并用重镉酸钾浸泡，再用去离子水超声清洗，并吹干备用；将清洗好的衬底放入磁控溅射系统沉积1μm的多层钼背电极；以...
- 王书荣李志山蒋志杨敏刘涛郝瑞亭
- 文献传递
- PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究
- 2016年
- 系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.
- 任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川
- 关键词：分子束外延INASSB中波红外探测器
- 一种短波/中波/长波三波段红外探测器的制备方法
- 本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、M型In...
- 郝瑞亭任洋郭杰刘思佳赵其琛王书荣常发冉刘欣星
- 文献传递
- 分子束外延生长AlInAsSb超晶格材料的方法
- 本发明公开了一种分子束外延生长短波红外AlInAsSb超晶格的优化方法，其步骤为：测定AlInAsSb中三族元素的源炉温度及相应的束流值，及其五族元素相应的束流值以及分子束外延生长的基准温度T<Sub>c</Sub>，并...
- 郝瑞亭常发冉郭杰李勇刘欣星顾康刘斌王璐
- 文献传递
- InAs/GaSb超晶格红外探测器台面的ICP刻蚀研究被引量：1
- 2014年
- 采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb；Cl2比例在20％~40％时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。
- 郭杰郝瑞亭赵前润满石清
- 关键词：超晶格ICP刻蚀刻蚀速率表面形貌
- 一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池
- 本发明涉及一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池，属太阳电池技术领域。本发明的具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池为：采用垂直的ZnO，TiO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>纳米棒阵列作为光耦合...
- 杨培志刘黎明郝瑞亭杨雯莫镜辉邓书康
- 文献传递
- 能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS<Sub>2</Sub>层的预制层结构及制备方法
- 本发明公开了一种能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS<Sub>2</Sub>层的预制层结构及制备方法，包括依次连接的玻璃衬底、背电极、底层Cu‑Sn合金层、ZnS层、顶层Cu‑Sn合金层，其中，所述背电极为Mo薄膜，厚度为1μm；...
- 郝瑞亭刘欣星郭杰顾康魏国帅刘斌王璐马晓乐孙帅辉
- 文献传递
- 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
- 本发明公开了一种在砷化镓(GaAs)衬底上外延生长锑化镓(GaSb)的方法，该方法采用双缓冲层生长工艺，具体包括：A.在580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B.在550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长锑...
- 郝瑞亭周志强任正伟徐应强牛智川
- 文献传递
- 铜锌锡硫薄膜材料的两电极电化学制备方法
- 本发明公开了一种采用两电极体系制备铜锌锡硫薄膜材料的方法，包含以下下步骤：（1）柔性钼箔片衬底的清洗，利用丙酮与乙醇去除钼箔片表面残留的油脂，再利用硝酸与盐酸的混合溶液去除钼箔片表面的保护膜；（2）电解液的配置，分别配置...
- 王书荣蒋志刘涛李志山杨敏段良飞郝瑞亭
- 文献传递
