郭建云
- 作品数：3 被引量：34H指数：1
- 供职机构：中国地质大学材料与化学学院更多>>
- 发文基金：湖北省杰出青年人才基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 高压下闪锌矿InN光电性质的密度泛函研究(英文)
- 2012年
- 采用密度泛函理论,计算了闪锌矿型InN在压力下的结构、力学性质和光学性质,结果显示,随着压强的增大晶格常数减小。给出了零压下C11、C12、B、Cs、C44的值及至70GPa压力下弹性常数随压强的变化关系。结果表明,C11、C12、B随压强增大而增大,Cs、C44随压强增大而减小,计算结果与现有实验和理论结果符合较好。在价带区,InN的分态密度(PDOS)有两个带,且在费米面附近密度很小,显示其倾向于形成稳定结构并且导电性较差。对闪锌矿型InN在高压下的光学性质研究发现,导带电子向高能方向偏移,而价带电子向低能方向偏移,结果导致能带间隙增大,光吸收谱在压力的作用发生了"蓝移"。研究结果对认识高压下闪锌矿型InN的结构、电学及光学性质具有重要意义。
- 王希成郭建云郑广何开华陈琦丽王清波陈敬中
- 关键词：光电性质密度泛函理论
- Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：33
- 2008年
- 基于密度泛函理论,采用广义梯度近似方法,计算了Al,Mg掺杂的闪锌矿型GaN的电子结构和光学性质,分析了其电子态分布与结构的关系,给出了掺杂前后GaN体系的介电函数和复折射率函数.计算结果表明掺有Mg的GaN晶体空穴浓度增大,会明显提高材料的电导率,而Al掺杂GaN晶体的载流子浓度不变,只是光学带隙变宽;通过分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据.通过比较可知,所得出的计算结果与现有文献符合得很好.
- 郭建云郑广何开华陈敬中
- 关键词：电子结构光学性质掺杂
- 典型Ⅲ族氮化物半导体材料第一性原理研究
- 借助计算机，通过理论计算、数值模拟对材料的结构和性质进行预测与设计，以最大限度地减少因盲目或错误实验造成的浪费，是当今材料研究领域的一个方兴未艾的领域。运用局域密度泛函理论可将多电子系统转化为单电子系统，由此对各类半导体...
- 郭建云
- 关键词：氮化物半导体材料密度泛函电荷分布
- 文献传递
