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阮久福

作品数:100 被引量:27H指数:3
供职机构:合肥工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信文化科学化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 81篇专利
  • 19篇期刊文章

领域

  • 34篇电子电信
  • 7篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 19篇太赫兹
  • 19篇滤波器
  • 19篇赫兹
  • 13篇吸波
  • 13篇超材料
  • 12篇双频
  • 11篇频段
  • 11篇吸波体
  • 10篇电铸
  • 10篇太赫兹波
  • 9篇天线
  • 9篇频带
  • 9篇金属
  • 9篇光栅
  • 8篇带通
  • 8篇带阻
  • 8篇带阻滤波器
  • 8篇石墨
  • 8篇光刻
  • 7篇行波管

机构

  • 100篇合肥工业大学
  • 6篇教育部
  • 6篇安徽华东光电...
  • 2篇大连理工大学

作者

  • 100篇阮久福
  • 45篇邓光晟
  • 30篇杨军
  • 20篇尹治平
  • 17篇吕国强
  • 16篇宋哲
  • 16篇黄波
  • 15篇杨军
  • 14篇张称
  • 13篇张娜
  • 10篇王亮
  • 10篇王小康
  • 9篇陶治
  • 9篇蔡斐
  • 7篇李浩光
  • 7篇董必良
  • 7篇杨路路
  • 6篇董耘琪
  • 6篇桑磊
  • 4篇邱龙臻

传媒

  • 8篇强激光与粒子...
  • 5篇真空科学与技...
  • 2篇电子科技
  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇电加工与模具
  • 1篇航空制造技术
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 10篇2022
  • 9篇2021
  • 12篇2020
  • 3篇2019
  • 13篇2018
  • 7篇2017
  • 4篇2016
  • 12篇2015
  • 10篇2014
  • 5篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
100 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双光栅绕射辐射器件中模式竞争问题的研究
2014年
对双光栅绕射辐射器件谐振系统的模式竞争特性进行了分析,研究了工作模式的主要竞争模式及其抑制措施。结果表明,双光栅绕射辐射器件工作模式的主要竞争模式为满足开放边界条件的光栅表面慢波模式,而减小电子通道宽度以及合理选择带状电子注的高度能够有效抑制竞争模式的振荡。
邓光晟杨军阮久福吕国强
关键词:双光栅
行波管栅控电子枪热形变研究被引量:5
2013年
行波管栅控电子枪各组件尤其是阴极和栅网的热形变对行波管电子光学性能有着较大的影响。基于有限元分析方法,利用热力场耦合对栅控电子枪热形变问题进行了研究,结果表明:阳极的总形变量最大,最高处达0.28mm;控制栅网、阴影栅、阴极及部分支撑结构向着阳极方向发生形变,由温升引起的形变不会使控制栅网和阴影栅发生接触或交叉,而阴极形变量较大时,阴极与阴影栅则存在接触的危险,这对电子枪的工作性能有很大的影响,甚至会使阴影栅烧坏。降低电子截获率,适当增加控制栅网和阴影栅的厚度,使用热传导率高、线膨胀系数低的材料,可以减小栅控电子枪各组件的热形变。
阮久福杨军邓光晟吕国强
关键词:栅控电子枪热形变热应力
多注PPM聚焦系统中横向磁场的研究被引量:1
2012年
对多注周期永磁(PPM)结构中横向磁场的分布规律进行了研究,模拟分析了耦合槽的存在对不同电子注通道内横向磁场的影响,讨论了多注PPM结构中横向磁场的抑制方法,并对极靴饱和对各电子注通道的影响进行了分析。结果表明,多注PPM结构中通道孔内横向磁场随孔与耦合槽距离的减小而增大,而极靴饱和对通道孔的影响程度与孔和耦合槽的距离成正比。同单注PPM结构相比,增大多注PPM结构中铁制加载头半径对横向场抑制最为明显。
邓光晟杨军阮久福吕国强吴华夏沈旭东
关键词:多注横向磁场
太赫兹金属双光栅超厚胶光刻工艺被引量:4
2014年
介绍了制备某太赫兹频率真空辐射光栅的超厚胶光刻工艺,针对工艺中的难点(大厚度和高深宽比)展开了深入分析。实验分析了基片处理、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影等工艺过程对光刻的影响,通过优化工艺参数,解决了胶膜脱落、开裂,不同胶层间的结合,光栅沟槽间的光刻胶残留等问题,成功制备了厚度为700μm、深宽比为14的侧壁陡直、表面平整的双光栅结构胶膜。
单云冲阮久福杨军邓光晟吕国强
关键词:双光栅太赫兹光刻
一种以Cu为多级降压收集极的收集极表面处理方法
本发明公开了一种以Cu为多级降压收集极的收集极表面处理方法,以无氧铜为多级降压收集极,将所述收集极置于0.1-15MPa的高压反应釜中,以蒸馏水或乙醇为溶剂,溶剂的添加量至少使收集极浸没,然后高压反应釜在密封的状态下控制...
杨军董必良吴明在邓光晟阮久福
一种光波段宽带超材料吸波体
本发明公开了一种光波段宽带超材料吸波体,该吸波体包括M×N个单元,其中,M、N均为大于等于2的正整数;每个单元由十字形镂空的Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>T<Sub>x</Sub>谐振层、介质层和...
阮久福王铎霖涂建云朱大伟邹睿智
一种多级降压收集极Cu电极表面采用石墨烯处理的方法
本发明公开一种多级降压收集极Cu电极表面采用石墨烯处理的方法,涉及真空电子技术,是新型的可用于高效率行波管的收集极处理工艺。本发明采用石墨烯材料涂层可接对无氧铜电极进行处理,有利于抑制二次电子发射,提高多级降压收集极的回...
杨军邱龙臻李军英李鹏邓光晟尹治平阮久福
一种用于太赫兹功率放大器的高频结构
本发明公开了一种用于太赫兹功率放大器的高频结构,属于太赫兹真空电子器件领域。高频结构由两段矩形金属光栅、球面镜和柱面镜构成的准光学谐振腔、矩形金属波导和矩形耦合孔等构成,系统所用金属材料均为无氧铜。两段矩形金属光栅周期分...
杨军李娇娇邓光晟阮久福杨路路董必良
文献传递
基于方位维随机功率调制的微波成像方法
本发明公开了一种基于方位维随机功率调制的微波成像方法,通过对雷达发射信号的方位维功率分布加以随机调制,将压缩感知理论融合到成像雷达系统中,从而减少成像时间。同时,将目标回波和发射信号的功率调制信息作为成像算法的共同输入量...
尹治平杨军李川蔡斐阮久福邓光晟
一种太赫兹带阻滤波器
本发明公开一种太赫兹带阻滤波器包括N×N个相同的单元,周期排列在与太赫兹波入射方向垂直的平面上,相邻单元间无间距,N为大于等于2的整数,单个单元包括第一金属谐振层、第二金属谐振层、基底;第一金属谐振层贴在基底的上表面中心...
阮久福姬生伟兰凤王亮
文献传递
共10页<12345678910>
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