阮耀钟
- 作品数：31 被引量：31H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- BSCCO超导单晶的正电子湮没研究被引量：1
- 1991年
- 一、引言 正电子是研究固体电子结构,固体缺陷和相变的灵敏探针。对超导体而言,BCS理论预言,Cooper对的形成导致k空间占据态的重新分布,从而引起费米面的模糊。理论预计费米面的模糊将使超导态的正电子寿命增加,湮没辐射Dopper展宽能谱的线形参数S下降。
- 朱警生周先意龙期威顾根大蔡维理阮耀钟张裕恒
- 关键词：BSCCO高TC超导体单晶
- 苯热合成法制备强紫外光致发光a-SiO_xC_yH_z 膜
- 1999年
- 用苯热合成法分别在２００ ℃、３００ ℃、４００ ℃下制得非晶ＳｉＯｘＣｙＨｚ 膜，在室温下观测到强的紫外光致发光，典型样品的发光强度可与多孔硅相比．实验中发现不同温度下生长的样品，其发光谱中均存在３４０ ｎｍ 发光峰，在４００ ℃生长的样品的发光谱中还出现了３８０ ｎｍ 的伴峰．对Ｘ射线衍射谱，Ｆｏｕｒｉｅｒ 变换红外吸收谱，Ｘ 射线光电子能谱，光致发光谱，及光致发光激发谱的分析表明，３４０ ｎｍ 的发光来源于氧化硅中的缺陷，而３８０ ｎｍ 的发光峰可能与材料中的ＳｉＣ和ＳｉＳｉ 键有关．
- 李明傅正平杨碚芳程海凌刘如川阮耀钟
- 关键词：氧化硅复合膜
- Bi-Sr-Ca-Cu-O2212相超导单晶的定向生长被引量：1
- 1991年
- 用定向凝固法已成功地生长出Bi-Sr-Ca-O 2212相的超导大单晶,最大的单晶尺寸达到19×3×2mm^3。定向生长的单晶(001)面平行于生长方向,[100]方向为单晶的定向生长方向。劳厄像表明大晶体确为单晶,其质量比其它方法生长的单晶要高。氧气中退火后的单晶电阻测量和交流磁化率测量表明,零电阻温度T_(c(0))=81.5k。
- 顾根大蔡维理杨培芳王玉霞姚连增黄大金阮耀钟周贵恩程庭柱张裕恒
- 关键词：超导体单晶
- TS及PTS聚合过程的介电性质研究被引量：3
- 1989年
- 测量了TS的介电常数与温度的关系,在160K和203K附近观察到异常;同时也跟踪测量了TS在固态聚合过程中介电常数与聚合度的关系,发现在聚合初期,介电常数先是下降,当聚合度高于30％时,介电常数迅速上升。我们认为这些变化与侧链极性基团和碳链π电子的行为有关,并对此进行了定性的讨论。
- 阮耀钟李立平何平笙姚刚
- 关键词：PTSTS介电性质
- 硅衬底上制备4H-SiC择优取向膜的一种新方法
- 1998年
- 碳化硅（SiC）作为一种化学性能稳定的宽带隙半导体,是高温、抗辐射电子器件和短波长光电子器件的优选材料,倍受各国重视。在SiC常见多型中,4H-SiC比其它多型（6H或3C-SiC）有更宽的带隙,更高的电子迁移率和低的电子迁移率各向异性,所以更受青睐。 外延生长SiC薄膜,通常采用化学气相沉积,激光溅射法或分子束外延等方法。4H-SiC单晶薄膜一般在1500℃以上的温度下同质外延生长在4H-SiC单晶衬底上,所用设备复杂,产品成本很高。故探索在较低温度下生长优质4H-SiC薄膜的新途径具有重要意义。 我们曾利用短程结构与4H-SiC相似的非晶纳米氮化硅粒子的有机复合膜,经高温热解在单晶硅衬底上生长了4H-SiC多晶薄膜。在本文的工作中,我们利用LB膜技术,在单晶Si（111）衬底上对非晶氮化硅纳米微粒进行有序组装,形成氮化硅纳米微粒与聚酰亚胺复合的LB膜,经950℃真空热解,制得了以单晶硅为衬底,具有择优取向的4H-SiC晶态膜。
- 傅正平杨碚芳刘如川阮耀钟
- 关键词：碳化硅半导体
- 超导临界温度测量被引量：2
- 1991年
- <正> 1911年翁纳斯(Onnes)在测量低温下汞的电阻时,发现在4.2K附近电阻突然消失,突变前后,电阻值变化超过10~4倍。这种在低温下电阻突然消失的现象称为超导电性。具有超导电性的材料称为超导体。
- 阮耀钟黄伟
- 关键词：超导临界温度
- 四方和正交YBa_2Cu_3O_(7-x)体系的输运性质
- 1989年
- 测量了一系列在不同淬火温度下制得的单相YBa_2Cu_3O_(7-x)样品的电阻和热电势率。热电势率与温度的关系表明,在正交结构的超导体中,存在声子曳引峰,而在四方结构的样品中,声子曳引峰消失,说明电-声子相互作用对超导电性有影响。根据热电势率数据,估算了样品的费密能和载流子浓度。
- 阮耀钟胡学龙李立平孟光耀胡俊宝蒋志红张裕恒
- 关键词：正交超导体输运性质
- Na_5Dy（WO_4）_4晶体的结构与光谱被引量：1
- 1994年
- 以分析纯Ｎａ＿２ＷＯ＿４为即熔剂，采用缓冷法培养出淡黄色单晶体Ｎａ＿５Ｄｙ（ＷＯ＿４）＿４。研究了该晶体的吸收光谱、荧光光谱及激发光谱。计算了它的晶胞参数：ａ＝１１．４２４Ａ，ｃ＝１１．３３５Ａ。并确定了Ｄｙ￣（３＋）的能级，为进一步研究其激光性能提供必要的数据基础。
- 姚连增张淑贞宋子台程庭柱阮耀钟
- 关键词：助熔剂镝离子
- Na_5Ho(WO_4)_4晶体的生长、结构及光谱性质
- 1992年
- 用助熔剂缓冷法培养出化学计量比的发光单晶体Na_5HO(WO_4)_4。该晶体属四方晶系,I4_1/a空间群,晶胞参数为a=11.437(?),c=11.336(?),c/a=0.991。测定了该晶体室温下的反射光谱、激发光谱及荧光光谱。观察到Ho^(3+)离子的~5S_2—~5I_8跃迁的强黄绿色荧光发射。
- 姚连增程庭柱阮耀钟张裕恒
- 关键词：晶体
- 掺Ba对Bi系2212相超导电性的影响
- 1994年
- 研究了掺Ｂａ对Ｂｉ＿２Ｂｒ＿（２－ｘ）Ｓａ＿ｘＣａＣｕ＿２Ｏ＿ｙ（０≤ｘ≤０．１５，０．３）单晶和多晶样品超导电性的影响，结果表明，有少量Ｂａ￣（２＋）离子进入了超导相，且有固溶度极限．对于２２１２相单晶，ｃ轴参数和Ｔ均随Ｂａ含量增加而增加；对于慢冷多晶样品，掺Ｂａ可明显提高Ｔ；然而对于淬大多晶样品，Ｔ没有明显变化，用掺Ｂａ对空穴浓度的影响解释了上述结果。
- 杨碚芳许存义左健汪良斌阮耀钟张裕恒M.J.LeeJ.M.Pera
- 关键词：铋系超导性钡掺杂
