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陈善亮

作品数：88 被引量：29H指数：4
供职机构：宁波工程学院更多>>
发文基金：中国矿业大学青年科技基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学化学工程环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 77篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 5篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 66篇纳米
  • 23篇纳米线
  • 22篇掺杂
  • 19篇纳米材料
  • 18篇SIC
  • 17篇SIC纳米线
  • 17篇场发射阴极
  • 15篇场发射
  • 12篇石墨坩埚
  • 12篇坩埚
  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 12篇传感器
  • 11篇热解
  • 10篇电子发射
  • 10篇压力传感器
  • 10篇前躯体
  • 10篇力传感器
  • 10篇B掺杂
  • 9篇纳米带

机构

  • 78篇宁波工程学院
  • 11篇中国矿业大学
  • 1篇江南大学

作者

  • 88篇陈善亮
  • 78篇杨为佑
  • 51篇王霖
  • 47篇高凤梅
  • 10篇郑金桔
  • 10篇杨祚宝
  • 10篇李笑笑
  • 9篇刘乔
  • 8篇应鹏展
  • 8篇尚明辉
  • 6篇张伦
  • 6篇顾修全
  • 4篇陈强
  • 3篇高榆岚
  • 3篇陈春梅
  • 2篇张小红
  • 2篇侯慧林
  • 2篇吴玲
  • 2篇王洁如
  • 1篇尉国栋

传媒

  • 2篇电镀与涂饰
  • 1篇化工环保
  • 1篇环境化学
  • 1篇化学进展
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 11篇2020
  • 10篇2019
  • 10篇2018
  • 10篇2017
  • 16篇2016
  • 14篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
共 88 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiC柔性场发射阴极材料制备与精细调控及其电子发射特性
场发射是低维纳米材料的固有特性之一，在显示和真空电子等领域具有广泛的应用前景，其真正应用的关键基础是如何降低其开启电场并提高其电子发射稳定性。本论文围绕新颖高效的SiC柔性场发射阴极材料的研发，基于局域场增强效应和掺杂改...
陈善亮
关键词：高温热解阴极材料
文献传递
一种大宽厚比N掺杂SiC纳米带及其制备方法
本发明涉及一种N掺杂SiC纳米带及其制备方法，属材料制备技术领域。该N掺杂SiC纳米带的宽度为100‑800nm，厚度为10‑80nm。其制备方法：将有机前驱体预处理后与双氰氨粉末混合并置于石墨坩埚，并将碳纤维布衬底放置...
高凤梅李笑笑陈善亮王霖杨为佑
一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用
本发明涉及一种SiC纳米颗粒薄膜，具体涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用，属于纳米材料技术领域。所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的相成份为3C-SiC，所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜中P掺杂量为0.25-0.30at.％...
陈善亮高凤梅王霖郑金桔杨为佑
文献传递
一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法
本发明属于传感器技术领域，涉及一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法。所述SiC/ZnO纳米异质结压力传感器的制备方法包括以下步骤：(1)制备SiC/ZnO纳米异质结：将SiC纳米线分散于乙醇溶液中，取含有S...
王霖吴杰高凤梅陈善亮杨为佑
文献传递
柔性场发射阴极材料被引量：4
2015年
柔性场发射阴极材料因其独特的可变形和弯曲特性,在电子织物、分布式传感器、纸上显示器以及建筑物表面的大型弯曲显示等领域,具有广泛的发展前景。利用纳米半导体组元构建兼具机械柔性和优越性能的功能柔性系统,是当前活跃的研究热点之一。本文概述了基于低维纳米结构的柔性场发射阴极材料的基本特点,阐述了以聚合物、石墨烯、碳纤维布等典型衬底材料制备场发射阴极材料的最新研究动态,论述了其在显示器和X射线管中的应用进展,对其今后的发展方向进行了展望。
陈善亮应鹏展尉国栋杨为佑
关键词：场发射纳米材料阴极
SiC柔性场发射阴极材料生长与精细调控及其电子发射特性
柔性场发射阴极材料因其独特的可变形和弯曲特性，在电子织物、分布式传感器、纸上显示器以及微型X射线管等领域，具有潜在的发展前景。本文围绕新颖SiC柔性场发射阴极材料的研发，基于局域场增强效应和调控费米能级附近电子态密度等原...
陈善亮杨为佑
关键词：热解场发射
一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法
本发明涉及一种芯片级全固态SiC超级电容器的制备方法，属于微能源制造技术领域，制备方法包括：将SiC晶片先进行清洗、浸泡、干燥处理，再经阳极氧化刻蚀、剥离后得SiC纳米阵列薄膜；将SiC纳米阵列薄膜浸入固态电解质中，取出...
刘乔李维俊陈善亮杨为佑
文献传递
SiC纳米阵列
本发明公开的SiC纳米阵列，包括基体和形成于基体表面的纳米阵列，纳米阵列为SiC纳米线排列，其中SiC纳米线中SiC晶型为C型或者H型或者R型；SiC纳米阵列中纳米线的阵列密度为(5.0‑6.0)×10<Sup>7</S...
王霖陈善亮杨为佑
文献传递
一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法
本发明涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的制备方法，属于纳米材料技术领域。所述制备方法包括如下步骤：有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；将有机前驱体粉末和FePO<Sub>4</Sub>·H<Sub>2</Sub...
陈善亮高凤梅王霖郑金桔杨为佑
文献传递
柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用
本发明涉及一种柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用。该柔性纳米材料为场发射柔性阴极，柔性阴极的发射电流密度波动性为±2-4％，开启电场波动性＜±0.05％。本发明中的柔性阴极不仅具有很高的柔韧性，而且在不同弯曲次数、不同...
杨为佑陈善亮尚明辉王霖高凤梅
文献传递
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