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霍海滨

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇异质结
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米线
  • 2篇光电
  • 2篇半导体纳米材...
  • 1篇电器件
  • 1篇电学性能
  • 1篇电致发光
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子输运
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米线
  • 1篇一维半导体纳...
  • 1篇输运
  • 1篇紫外
  • 1篇刻蚀
  • 1篇光电器件
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子器件

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇霍海滨
  • 2篇杨卫全
  • 2篇秦国刚
  • 2篇戴伦
  • 2篇马仁敏

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一维半导体纳米材料及其电子和光电子器件研究
本论文较系统的研究了一维半导体纳米材料的合成、表征、掺杂以及相关的硅基电子和光电子器件的制备、测量与分析，主要内容包括：(1)利用气相输运的方法合成了多种化合物半导体纳米线，并对其进行了详细的结构表征和光学性能研究;(2...
霍海滨
关键词：电子输运场效应管异质结一维半导体纳米材料电子器件光电子器件
文献传递
一种制备硅纳米线的方法
本发明公开了一种制备硅纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将纳米线分散在硅衬底上；2)以所述纳米线为掩膜干法刻蚀所述硅衬底，刻蚀掉纳米线以外的硅衬底部分，得到硅纳米线。本发明采用纳米线作为掩膜，并结合ICP干法刻...
霍海滨戴伦秦国刚杨卫全马仁敏
文献传递
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光被引量：1
2008年
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380nm)和一个中心位于700nm的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。
霍海滨杨卫全戴伦马仁敏秦国刚
关键词：电致发光氧化锌纳米线异质结
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