马洪磊
- 作品数：116 被引量：510H指数：15
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的绿光发射被引量：23
- 2004年
- 用射频磁控溅射法 ,在硅衬底上制备出具有良好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜。研究了室温下薄膜的光致发光特性 ,观察到显著的单绿光发射 (波长为 5 1 4nm)峰。在氧气中 830℃高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,绿光发射峰强度变弱 ;在真空中 830℃高温退火后 ,绿光发射峰强度增加。
- 王卿璞张德恒马洪磊张兴华张锡健
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- 偏压磁控溅射法在水冷柔性衬底上制备ITO透明导电膜被引量：26
- 2000年
- 通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 3× 10 -4 Ωcm、附着良好的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 .SnO2 最佳掺杂浓度为 7 5 %— 10 % (w .t.) ,最佳氩分压为 0 5— 1Pa.当衬底负偏压为 2 0— 40V时 ,晶粒平均尺寸最大 ,制备出的薄膜的电阻率有最小值 .薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的c轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少 .最佳衬底负偏压取值范围为 2 0— 40V .
- 杨志伟韩圣浩杨田林赵俊卿马瑾马洪磊程传福
- 用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究被引量：16
- 2001年
- 目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表明 ,它们的去污效果基本相当 .但对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术优于标准 RCA清洗技术 .
- 曹宝成于新好马瑾马洪磊刘忠立
- 关键词：表面活性剂螯合剂清洗液硅片
- 二氧化锡纳米线的生长机理研究被引量：1
- 2007年
- 使用水平石英管式电炉，以二氧化锡和石墨的混合物为原材料、高纯氮气为载气，在850℃温度下用直接热蒸发法制备二氧化锡纳米线．衬底硅片的直径为10mm，其上覆盖一层5nm厚的金催化剂．原材料放在石英舟中，离原材料30mm的下风口处放置硅衬底，原材料和硅衬底都放置在石英管的中部电炉的恒温区内．用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察到二氧化锡的纳米线结构；X射线衍射（XRD）表明二氧化锡纳米线具有四方金红石结构；选区电子衍射（SAED）照片表明二氧化锡纳米线具有完善的晶体结构．不同生长时间下制备样品的扫描电子显微镜和透射电子显微镜照片再现了二氧化锡纳米线的生长过程，该纳米线的生长符合传统的VLS生长机制．
- 宗福建李立君崔晓东马洪磊马瑾张锡健计峰肖洪地
- 关键词：二氧化锡纳米线
- 有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究被引量：6
- 1998年
- 采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×１０２０ｃｍ－３。
- 马瑾李淑英马洪磊赵俊卿叶丽娜
- 关键词：ITO透过率电阻率载流子浓度
- 蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究被引量：11
- 1995年
- 以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构、光学和电学特性进行了研究。
- 马瑾计峰马洪磊李淑英
- 关键词：氧化锌薄膜透过率电导率
- 锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响被引量：8
- 2008年
- 采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2∶Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明,样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰,发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。
- 计峰马瑾马洪磊
- 关键词：磁控溅射光致发光
- SrTiO_3-Nd_2O_3系陶瓷的介电频谱研究
- 2003年
- 研究SrTiO3-Nd2O3系陶瓷的介电频谱特性。由介电频谱确定了此种陶瓷的介电弛豫频率和介电弛豫时间,并对介电频谱进行了理论分析和讨论。
- 肖洪地王成建马洪磊
- 关键词：介电频谱
- 一种水剂清洗剂组合物
- 本发明涉及一种电子工业用清洗剂。其组成为：5-10%脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠，10-20%壬基酚聚氧乙烯醚，10-15%椰子油酰二乙醇胺或烷基醇酰胺磷酸酯，1-10%乙二醇烷基醚，5-10%直链或支链低级脂肪醇，0.1-0...
- 李玉香于新好马洪磊
- 文献传递
- 柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究被引量：7
- 2000年
- 用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为 6 .6 3× 10 - 4Ω·cm ,透过率达到 82 %。
- 马瑾赵俊卿叶丽娜田茂华马洪磊
- 关键词：柔性衬底透明导电膜ITO薄膜
