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高向东

作品数：2 被引量：10H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇共掺
  • 2篇共掺杂
  • 2篇氮
  • 2篇铟
  • 2篇掺杂
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇ZNO薄膜
  • 1篇N

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇边继明
  • 2篇于伟东
  • 2篇李效民
  • 2篇高向东
  • 1篇张灿云
  • 1篇赵俊亮

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种氮和铟共掺杂制备p型氧化锌薄膜的方法
边继明李效民高向东于伟东
本发明的目的在于解决氧化锌薄膜中难于实现有效受主掺杂的困难，提供一种氮和铟共掺杂制备p型氧化锌薄膜的新方法，以满足制备氧化锌p-n结材料和ZnO基光电子器件的需要。具有工艺简单易行，成本低廉的优点。
关键词：
关键词：氧化锌薄膜
氮-铟共掺杂ZnO薄膜的制备及表征被引量：10
2005年
以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,采用超声喷雾热解法在石英玻璃衬底上沉积了氮铟(NIn)共掺杂ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、霍尔效应、塞贝克效应、光致发光谱等分析方法,研究了NIn共掺杂对所得ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响规律。结果表明:通过氮铟共掺杂,ZnO薄膜的电学和光学性能发生明显改变。优化工艺条件下,所得ZnO基薄膜结构均匀致密,电阻率为6.75×103Ω·cm,并且在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰,表明薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量。
边继明李效民张灿云赵俊亮于伟东高向东
关键词：ZNO薄膜光致发光
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