黄仕华
- 作品数：148 被引量：76H指数：5
- 供职机构：浙江师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 半导体超晶格高频放大效应的研究
- 2011年
- 在直流电场和太赫兹频率交流光电场下,通过弛豫时间近似下半经典的玻尔兹曼输运理论研究了半导体超晶格微带电子的高频响应及太赫兹激光辐射的产生和放大可行性,并发现在微带中布拉格反射导致的高频放大共振可以利用交流的探测激光场观察到.
- 胡波黄仕华
- 关键词：超晶格太赫兹高频响应高频放大
- 基于苝二酰亚胺敏化的晶体硅太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种基于苝二酰亚胺敏化的晶体硅太阳能电池，包括N型单晶硅基底层，基底层正面依次为烷基化‑苝硅层、苝二酰亚胺层，基底层背面为叉指接触层，所述的叉指接触层包括条纹状重复的氧化钼‑氧化铝‑氟化锂‑氧化铝条带，其中氧...
- 黄仕华鲁章波池丹李林华楼刚
- 一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器
- 本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料，其分子式为SiC<Sub><I>x</I></Sub>O<Sub><I>y</I></Sub>，其中x=1.21~0.21，y=1.45~...
- 黄仕华陈达
- 文献传递
- 四甲基胍单晶硅片湿法制绒工艺研究被引量：1
- 2022年
- 首次采用有机碱——四甲基胍替代传统的氢氧化钠或氢氧化钾作为制绒刻蚀剂,邻苯二酚和硅酸钠作为制绒添加剂进行单晶硅片制绒,并通过实验对不同四甲基胍浓度、邻苯二酚浓度、反应温度、反应时间对单晶硅片制绒的影响进行了分析。研究结果表明:制绒后单晶硅片表面的金字塔分布密集、大小均匀;在400~1000 nm的波长范围内,单晶硅片的平均反射率为9.16%,比采用传统的碱醇制绒体系制绒时获得的反射率低;同时,该制绒方法还消除了传统制绒刻蚀液中金属离子对单晶硅片的污染。
- 赵徐禛张嘉华康桥黄仕华
- 关键词：四甲基胍单晶硅片反射率
- 一种晶体硅体寿命的精确测量方法
- 本发明公开了一种晶体硅体寿命的精确测量方法，该方法通过准稳态光电导法测少数载流子寿命，准稳态少子寿命测量法可以准确快速地得到硅片少子寿命的真实值，该有效少子寿命包括体寿命和表面复合寿命，在硅片表面复合情况相同的前提下，然...
- 黄仕华黄玉清
- 文献传递
- 具有宽特征尺度的掺铝氧化锌薄膜制备方法
- 本发明公开了一种具有宽特征尺度的掺铝氧化锌薄膜制备方法，利用磁控溅射在玻璃基片上生长一层AZO薄膜；利用稀盐酸与丙烯酸混合液对AZO薄膜进行腐蚀，获得大特征尺度的光俘获结构；在腐蚀后的AZO薄膜上利用磁控溅射再生长一层A...
- 黄仕华陆肖励井维科
- 文献传递
- 一种多晶硅薄膜及其低温制备方法
- 本发明涉及一种多晶硅薄膜的低温制备方法，属于多晶硅薄膜制备领域，包括以下步骤：(1)对衬底进行清洗和吹干；(2)真空室抽真空，气压达到10<Sup>-6</Sup>Torr以上，采用真空磁控溅射的方法在衬底上沉积非晶硅薄...
- 郝亚非张若云井维科黄仕华
- 文献传递
- PECVD法制备氢化纳米晶硅薄膜及其晶化特性的研究
- 刘剑黄仕华
- 一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法，以氧化钼作为p型晶体硅钝化层和空穴传输层，具有如下的结构：Ag/SiN<Sub>x</Sub>/n‑c‑Si/p‑c‑Si/SiO<Sub>2</Sub>/MoO<...
- 黄仕华周理想池丹陆肖励
- 氢化非晶硅叠层薄膜对单晶硅表面钝化研究被引量：4
- 2021年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,增强钝化效果,过量的氢稀释比会导致非晶硅在硅片表面的外延晶化生长,降低钝化效果。退火导致非晶硅晶化程度增加,降低了钝化效果,同时退火提升了薄膜的质量,改变了H键合方式,增强了钝化效果。因此,单层氢化非晶硅只有在合适的氢稀释比和退火温度才可以获得最佳钝化效果。为了提高非晶硅薄膜对硅片的钝化效果,采用具有高低氢稀释比的叠层本征非晶硅薄膜对硅片进行钝化。因此将高氢稀释比沉积的非晶硅薄膜叠层生长于低氢稀释比的薄膜之上,避免非晶硅在硅片表面的外延生长。在退火过程中,高氢稀释比薄膜中的氢扩散到低氢稀释比薄膜中,有效地钝化了非晶硅中和单晶硅表面的悬挂键,改善了非晶硅/硅片的界面质量,叠层钝化后硅片的少子寿命为7.36 ms,隐含开路电压为732 mV。
- 丁月珂黄仕华
- 关键词：钝化单晶硅少子寿命
